扩大驱动范围缩小电池尺寸优化系统尺寸和成本是半导体的功率模块
发布时间:2024/6/30 16:00:48 访问次数:110
五款新系列60V、100V和150V表面贴装沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）整流器---VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。
在60℃高温条件下，其暗电流(DC)、白点(White Pixel)分别相对降低约22%和71%，其DSNU降低约57%，不惧智能手机连续视频录制带来的高温干扰，呈现自然纯净、细节丰富的画面。
移动影像的进化，让智能手机用户随时随地记录分享生活、进行影像创作。
硅EDT2技术，可在750V电压等级下提供100kW至180kW的功率范围。
第一代车规级HybridPACK Drive CoolSiC MOSFET。这不仅让逆变器的设计在1200V等级内实现更高的功率（最高可达250kW），还扩大了驱动范围、缩小了电池尺寸、优化了系统尺寸和成本是半导体在市场上领先的功率模块。
同规格单层BSI产品，SC130HS的读取噪声(RN)和PRNU分别降低约20%和38%。
移动影像的进化，让智能手机用户随时随地记录分享生活、进行影像创作。
SC130HS可支持多种格式的高帧率影像输出，包括13MP全分辨率视频（普通模式：60fps；HDR模式：30fps）、1080P 120fps和720P 240fps慢动作视频等。
VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153额定电流7A，达到业界先进水平，电流密度比传统SMA（DO-214AC）封装器件高50%，比SMF（DO-219AB）封装器件高12%，为商业、工业、能源和车载应用提供节省空间的高效解决方案，每种产品都有汽车级AEC-Q101认证版本。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
五款新系列60V、100V和150V表面贴装沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）整流器---VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。
在60℃高温条件下，其暗电流(DC)、白点(White Pixel)分别相对降低约22%和71%，其DSNU降低约57%，不惧智能手机连续视频录制带来的高温干扰，呈现自然纯净、细节丰富的画面。
移动影像的进化，让智能手机用户随时随地记录分享生活、进行影像创作。
硅EDT2技术，可在750V电压等级下提供100kW至180kW的功率范围。
第一代车规级HybridPACK Drive CoolSiC MOSFET。这不仅让逆变器的设计在1200V等级内实现更高的功率（最高可达250kW），还扩大了驱动范围、缩小了电池尺寸、优化了系统尺寸和成本是半导体在市场上领先的功率模块。
同规格单层BSI产品，SC130HS的读取噪声(RN)和PRNU分别降低约20%和38%。
移动影像的进化，让智能手机用户随时随地记录分享生活、进行影像创作。
SC130HS可支持多种格式的高帧率影像输出，包括13MP全分辨率视频（普通模式：60fps；HDR模式：30fps）、1080P 120fps和720P 240fps慢动作视频等。
VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153额定电流7A，达到业界先进水平，电流密度比传统SMA（DO-214AC）封装器件高50%，比SMF（DO-219AB）封装器件高12%，为商业、工业、能源和车载应用提供节省空间的高效解决方案，每种产品都有汽车级AEC-Q101认证版本。
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