随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。

与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而能够在紧凑的空间体积内提供更高的功率密度。

基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W电源适配器方案，可为用户带来高效、轻便的充电体验。

薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜从两端重叠后卷绕成圆筒状制成的。

依塑料薄膜的种类又分别称为聚乙酯电容器（又称Mylar 电容器）、聚丙烯电容器（又称 PP电容器）、聚苯乙烯电容器（又称PS电容器）和聚碳酸电容器。

云母电容器用金属箔或在云母片上喷涂银层作电极板，极板和云母一层一层叠合后压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小、绝缘电阻大、温度系数小，适合用于高频电路。

在触发到 NCP4318 的负电流侦测（SRCINV），或是脉冲跳频模式（skip mode）时，一次侧无脉冲的时间达足够长度（tGRN2-ENT），DLY_EN旗标即会转态为HIGH。而负电流侦测在各种轻载的瞬时过程中都很容易触发。

例如，重载跳到轻载，或是在轻载时的脉冲跳频模式的进出过程，都很容易在二次侧电流缩小并缩短其导通时间的切换周期里，触发到负电流侦测。因此，在轻载状况下，NCP4318的DLY_EN旗标通常为HIGH。

LM2594MX-5.0/NOPB

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随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而能够在紧凑的空间体积内提供更高的功率密度。针对这一特点，大联大诠鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W电源适配器方案，可为用户带来高效、轻便的充电体验。