高压悬浮通道用于驱动600V高压的N沟道功率MOSFET或IGBT
发布时间:2024/6/21 8:45:36 访问次数:109
高压高速功率半桥驱动电路，主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电路内置了欠压保护功能防止功率管工作于低的控制电压下；逻辑输入端兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可到3.3V。
为保证产品可靠性，CS57304S还内置防直通设计以及死区时间；输出驱动包含高脉冲电流缓冲级设计来减少驱动管直通；电路还内置自举二极管BSD，简化了外围电路设计；高压悬浮通道可用于驱动600V高压的N沟道功率MOSFET或IGBT。
同时，SC580XS拍摄12.5MP图像和4K影像的功耗分别低至190mW和150mW。
之前的汽车存储系统中，多为分布式存储方案，每个域控制器分别配备单独的存储器。尽管采用集中式存储解决方案是可行的，但用户必须集成PCIe交换机，并同时整合一套软件解决方案，以实现存储解决方案的虚拟化并与软件控制系统进行顺畅的交互。
全新升级的读取电路架构设计和先进的22nm HKMG工艺，SC580XS具备优异的低功耗性能。SC580XS支持硬件Remosaic功能，在50MP Full Size模式下功耗低至500mW（25fps帧率）。
在暗光场景下，SC580XS开启AllPix ADAF®模式，通过像素的横纵方位组合，实现100%全像素对焦，为手机摄像头带来更快速精准的对焦效果；在日常光线场景下，SC580XS切换至Sparse PDAF模式，通过部分像素相位检测进行准确对焦，可大幅节省图像传感器的功耗。
基于PixGain HDR®高动态范围模式下，SC580XS拍摄12.5MP图像的功耗仅为465mW（AllPix ADAF®模式）和310mW（Sparse PDAF模式），有助于智能手机整机功耗的降低和大幅度延长连续视频拍摄的最大时长。
深圳市裕硕科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com
高压高速功率半桥驱动电路，主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电路内置了欠压保护功能防止功率管工作于低的控制电压下；逻辑输入端兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可到3.3V。
为保证产品可靠性，CS57304S还内置防直通设计以及死区时间；输出驱动包含高脉冲电流缓冲级设计来减少驱动管直通；电路还内置自举二极管BSD，简化了外围电路设计；高压悬浮通道可用于驱动600V高压的N沟道功率MOSFET或IGBT。
同时，SC580XS拍摄12.5MP图像和4K影像的功耗分别低至190mW和150mW。
之前的汽车存储系统中，多为分布式存储方案，每个域控制器分别配备单独的存储器。尽管采用集中式存储解决方案是可行的，但用户必须集成PCIe交换机，并同时整合一套软件解决方案，以实现存储解决方案的虚拟化并与软件控制系统进行顺畅的交互。
全新升级的读取电路架构设计和先进的22nm HKMG工艺，SC580XS具备优异的低功耗性能。SC580XS支持硬件Remosaic功能，在50MP Full Size模式下功耗低至500mW（25fps帧率）。
在暗光场景下，SC580XS开启AllPix ADAF®模式，通过像素的横纵方位组合，实现100%全像素对焦，为手机摄像头带来更快速精准的对焦效果；在日常光线场景下，SC580XS切换至Sparse PDAF模式，通过部分像素相位检测进行准确对焦，可大幅节省图像传感器的功耗。
基于PixGain HDR®高动态范围模式下，SC580XS拍摄12.5MP图像的功耗仅为465mW（AllPix ADAF®模式）和310mW（Sparse PDAF模式），有助于智能手机整机功耗的降低和大幅度延长连续视频拍摄的最大时长。
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