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400万次循环电场翻转极化后电学曲线测量显示铁电极化仍未出现衰减

发布时间:2024/6/12 8:24:20 访问次数:47

传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制,稳定性随使用时间推移而降低,这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。

实验表明,采用该材料制备的铁电芯片器件在经历400万次循环电场翻转极化后,电学曲线测量显示铁电极化仍未出现衰减。

此项技术不仅极大提升了存储芯片的可靠性和耐久性,还有助于降低成本,提升存储密度,未来有望在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域发挥重要作用。

芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™GaN功率IC ,将GaN的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。

新型ICeGaN™P2系列IC RDS(on)低至25mΩ,支持多kW功率应用,并提供超高效率。

在电机控制逆变器方面,开发人员正在使用GaN来减少热量,获得更小、更持久的系统功率。

以上两个市场正是CGD ICeGaN功率IC现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本,再加上先进的高性能封装,使P2系列IC成为这些应用的绝佳选择。

这种便携、高效的口袋大小打印机将使工程师、医生甚至急救人员等专业人士能够随时随地打印所需的物品,无需依赖笨重的大型设备。

2nm节点技术的现有协议为基础,确立了2nm世代半导体芯片封装量产技术合作伙伴关系。作为本合作伙伴关系的一部分,Rapidus的技术人员将在IBM北美的封装制造研发基地进行合作。

此外,电子保险丝改善了熔断时间-电流特性,可变性更小,因而可以缩小电缆直径、减轻重量并削减线束的制作成本。

深圳市裕硕科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

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此项技术不仅极大提升了存储芯片的可靠性和耐久性,还有助于降低成本,提升存储密度,未来有望在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域发挥重要作用。

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在电机控制逆变器方面,开发人员正在使用GaN来减少热量,获得更小、更持久的系统功率。

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2nm节点技术的现有协议为基础,确立了2nm世代半导体芯片封装量产技术合作伙伴关系。作为本合作伙伴关系的一部分,Rapidus的技术人员将在IBM北美的封装制造研发基地进行合作。

此外,电子保险丝改善了熔断时间-电流特性,可变性更小,因而可以缩小电缆直径、减轻重量并削减线束的制作成本。

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