新IC内部集成了上管和下管驱动及两个性能加强的FREDFET
发布时间:2024/6/11 22:32:19 访问次数:86
三端功率半导体器件的电容可以在两种不同的量级上看待:组件和电路。
在组件上查看电容涉及到表征每个设备终端之间的电容。在电路上观察电容涉及到描述组件级电容的组合。例如,说明了一个功率MOSFET的组件级电容。
一个功率MOSFET的组件级和电路级电容之间的关系。对BJT和IGBT器件也可以进行类似的电容测量。
新产品不仅利用ROHM自有的工艺技术改善了常见的闪烁噪声*2,还通过从元件层面重新调整电阻分量,实现了超低噪声,等效输入噪声电压密度*3仅为12nV/√Hz。
高压集成半桥(IHB)电机驱动器IC产品系列BridgeSwitch-2,进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案,新产品适合高达1马力(746W)的应用场景。新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET,内部采用无损耗的电流检测,可提供高达99%的逆变器效率。
CoreLink MMU-600在加电时不再需要像当前系统那样去分配专门的内存空间。
BridgeSwitch-2由Power Integrations的MotorXpert软件套件提供支持,其中包括单相梯形控制和三相无传感器磁场定向控制(FOC)模块,可加快逆变器的开发速度。
新一代System MMU,CoreLink MMU-600,旨在保护实时、低延迟且高带宽的4K内容。媒体内容保护依靠CoreLink MMU-600部署TrustZone Media Protection v2(TZMP2)。
IHB架构消除了系统中的集中发热点,可提高设计的灵活性和可靠性,并可大幅减少元件数量,节省PCB面积。
这一机制将所有的核心设备虚拟化和保护延伸至非核心加速器和设备,使得每一个加速器驱动程序都在自己的域中运行。与核心设备共享的页表简化了CPU和非CPU设备之间的内存管理。
深圳市裕硕科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
三端功率半导体器件的电容可以在两种不同的量级上看待:组件和电路。
在组件上查看电容涉及到表征每个设备终端之间的电容。在电路上观察电容涉及到描述组件级电容的组合。例如,说明了一个功率MOSFET的组件级电容。
一个功率MOSFET的组件级和电路级电容之间的关系。对BJT和IGBT器件也可以进行类似的电容测量。
新产品不仅利用ROHM自有的工艺技术改善了常见的闪烁噪声*2,还通过从元件层面重新调整电阻分量,实现了超低噪声,等效输入噪声电压密度*3仅为12nV/√Hz。
高压集成半桥(IHB)电机驱动器IC产品系列BridgeSwitch-2,进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案,新产品适合高达1马力(746W)的应用场景。新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET,内部采用无损耗的电流检测,可提供高达99%的逆变器效率。
CoreLink MMU-600在加电时不再需要像当前系统那样去分配专门的内存空间。
BridgeSwitch-2由Power Integrations的MotorXpert软件套件提供支持,其中包括单相梯形控制和三相无传感器磁场定向控制(FOC)模块,可加快逆变器的开发速度。
新一代System MMU,CoreLink MMU-600,旨在保护实时、低延迟且高带宽的4K内容。媒体内容保护依靠CoreLink MMU-600部署TrustZone Media Protection v2(TZMP2)。
IHB架构消除了系统中的集中发热点,可提高设计的灵活性和可靠性,并可大幅减少元件数量,节省PCB面积。
这一机制将所有的核心设备虚拟化和保护延伸至非核心加速器和设备,使得每一个加速器驱动程序都在自己的域中运行。与核心设备共享的页表简化了CPU和非CPU设备之间的内存管理。
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