直接接触的屏蔽双导体终端不再需要在电缆组件中使用插板卡
发布时间:2024/6/10 13:47:56 访问次数:53
用于下一代服务器的NearStack PCIe连接器系统和电缆组件。
NearStack PCIe通过与开源计算项目（OCP）的成员合作开发，取代传统的插卡式电缆解决方案，以优化信号完整性并提高系统性能。
NearStack PCIe的一个突出特性是直接接触的屏蔽双导体终端，不再需要在电缆组件中使用插板卡。
与通过将电缆手工焊接到PCB焊盘卡上进行端接的竞争产品电缆跳线不同，NearStack则使用全自动的电缆端接工艺。
这种高精度工艺提高了制造效率、可重复性和信号完整性。
4.7千欧的电阻可以地与LED并联而稍微降低导通启电压。
XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。
与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。
薄膜电容器适合能量和功率密度高的直流支撑应用，额定电压范围为500V DC至1600V DC，电容值范围为0.47µF至170µF，最高工作温度达105℃。这些元件坚固耐用，具有自愈特点，符合RoHS要求，在额定电压和70℃工作温度条件下的典型寿命为95,000小时。
PLT5 522FA_P-M12半导体激光器比氩离子激光器更经济、体积更小、工作寿命更长，且不需要繁琐的水冷机制。
一个单模激光器的重量仅为几克，而传统的氩离子激光器的冷却和电源通常重达数公斤。
深圳市裕硕科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
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NearStack PCIe通过与开源计算项目（OCP）的成员合作开发，取代传统的插卡式电缆解决方案，以优化信号完整性并提高系统性能。
NearStack PCIe的一个突出特性是直接接触的屏蔽双导体终端，不再需要在电缆组件中使用插板卡。
与通过将电缆手工焊接到PCB焊盘卡上进行端接的竞争产品电缆跳线不同，NearStack则使用全自动的电缆端接工艺。
这种高精度工艺提高了制造效率、可重复性和信号完整性。
4.7千欧的电阻可以地与LED并联而稍微降低导通启电压。
XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。
与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。
薄膜电容器适合能量和功率密度高的直流支撑应用，额定电压范围为500V DC至1600V DC，电容值范围为0.47µF至170µF，最高工作温度达105℃。这些元件坚固耐用，具有自愈特点，符合RoHS要求，在额定电压和70℃工作温度条件下的典型寿命为95,000小时。
PLT5 522FA_P-M12半导体激光器比氩离子激光器更经济、体积更小、工作寿命更长，且不需要繁琐的水冷机制。
一个单模激光器的重量仅为几克，而传统的氩离子激光器的冷却和电源通常重达数公斤。
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