100W车内空调循环扇方案能够提供高效低噪音的驱动设计
发布时间:2024/6/3 20:07:18 访问次数:45
NCD83591智能栅极驱动芯片推出的100W车内空调循环扇方案，能够提供高效、低噪音的驱动设计。
NCD83591智能驱动芯片搭配双N-MOS FDS3890场效应管组成的功率级，额定电源输入为12VDC~40VDC，最大驱动功率为200W。
在封装方面，NCD83591采用QFN28（4x4）的小尺寸设计，有助于减少整体物料清单（BOM）成本。
AC05 WSZ和AC05-AT WSZ采用坚固耐燃的硅酮水泥涂层，符合UL 94 V-0阻燃测试标准，适于严苛工作条件下使用。
器件符合RoHS标准，无卤素，镀锡端接兼容无铅（Pb）和含铅（Pb）焊接工艺。
可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算。
MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
SiC MOSFET通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法.
通过在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，可以计算出功率损耗。
深圳市裕硕科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
NCD83591智能栅极驱动芯片推出的100W车内空调循环扇方案，能够提供高效、低噪音的驱动设计。
NCD83591智能驱动芯片搭配双N-MOS FDS3890场效应管组成的功率级，额定电源输入为12VDC~40VDC，最大驱动功率为200W。
在封装方面，NCD83591采用QFN28（4x4）的小尺寸设计，有助于减少整体物料清单（BOM）成本。
AC05 WSZ和AC05-AT WSZ采用坚固耐燃的硅酮水泥涂层，符合UL 94 V-0阻燃测试标准，适于严苛工作条件下使用。
器件符合RoHS标准，无卤素，镀锡端接兼容无铅（Pb）和含铅（Pb）焊接工艺。
可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算。
MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
SiC MOSFET通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法.
通过在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，可以计算出功率损耗。
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