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休眠模式下低功耗电流最高为20μA广泛用于12V/24V电源应用

发布时间:2024/5/18 18:08:05 访问次数:44

两款产品TB67H481FNG和TB67H480FNG为恒流双H桥驱动IC,电机输出额定电压(绝对最大值)为50V,电机输出额定电流(绝对最大值)为2.5A。

电机驱动IC不仅支持8.2V至44V的电机电源电压,而且休眠模式下低功耗电流(IM1)最高为20μA,因此可广泛用于12V/24V电源应用。

将持续开发广泛应用的产品,并提供总体解决方案,帮助简化设计、缩小电路板面积并降低总成本。

其内置的可多次编程(MTP)存储器能够存储并恢复器件配置,通过数字接口则可以轻松监测故障状态、VIN、VOUT、电流和温度。

MPC12106-54-0750-0220采用表面贴装(24mmx18mmx9.1mm)封装。

TB67H481FNG的输入接口为IN输入,TB67H480FNG则使用PHASE输入。

这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装,其表贴面积比当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%。与四周排列端子的QFN型封装不同,HTSSOP封装在两个方向排列端子,因此在电路板上布线更为便捷。

这些IC都内部集成了用于电荷泵电路的电容,不仅可减少外部部件,而且还可节省电路板空间。

IGBT等效成一只由MOSFT驱动的厚基区PNP型三极管,N沟道IGBT简化等效电路中RN为PNP管基区内的调制电阻.

由N沟道MOSFET和PNP型三极管复合而成,导通和关断由栅极和发射极之间驱动电压Ucg决定。

此时,从P+区注入N-的空穴对(少数载流子)对N区进行电导调制,减少N-区的电阻RN,使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时,MOSFET内的沟道消失,PNP型三极管的基极电流被切断,IGBT即关断。A2T08VD020NT1

深圳市优信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com

两款产品TB67H481FNG和TB67H480FNG为恒流双H桥驱动IC,电机输出额定电压(绝对最大值)为50V,电机输出额定电流(绝对最大值)为2.5A。

电机驱动IC不仅支持8.2V至44V的电机电源电压,而且休眠模式下低功耗电流(IM1)最高为20μA,因此可广泛用于12V/24V电源应用。

将持续开发广泛应用的产品,并提供总体解决方案,帮助简化设计、缩小电路板面积并降低总成本。

其内置的可多次编程(MTP)存储器能够存储并恢复器件配置,通过数字接口则可以轻松监测故障状态、VIN、VOUT、电流和温度。

MPC12106-54-0750-0220采用表面贴装(24mmx18mmx9.1mm)封装。

TB67H481FNG的输入接口为IN输入,TB67H480FNG则使用PHASE输入。

这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装,其表贴面积比当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%。与四周排列端子的QFN型封装不同,HTSSOP封装在两个方向排列端子,因此在电路板上布线更为便捷。

这些IC都内部集成了用于电荷泵电路的电容,不仅可减少外部部件,而且还可节省电路板空间。

IGBT等效成一只由MOSFT驱动的厚基区PNP型三极管,N沟道IGBT简化等效电路中RN为PNP管基区内的调制电阻.

由N沟道MOSFET和PNP型三极管复合而成,导通和关断由栅极和发射极之间驱动电压Ucg决定。

此时,从P+区注入N-的空穴对(少数载流子)对N区进行电导调制,减少N-区的电阻RN,使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时,MOSFET内的沟道消失,PNP型三极管的基极电流被切断,IGBT即关断。A2T08VD020NT1

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