栅极耐压很低在开关工作时的器件可靠性方面存在问题
发布时间:2024/5/9 23:47:49 访问次数:127
新元件具有诸多特点和优势,比如:采用金属合金磁芯以获得优异的饱和特性;
GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低,在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。
这样,在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压*3,器件也不会劣化,从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外,该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装,这使得安装工序的操作更容易。
小巧的尺寸与杰出的效能表现使其特别适用于无绳电动工具和自动操作家用/园艺电器 (例如智能吸尘器和智慧割草机)。该装置亦极为适用于其它应用,包括用于数据中心服务器的热插入和N+1备用电源供应器中的OR-ing 整流器。
DIODES™的DZDH0401DW采用SOT363封装 (尺寸为2.15mmx2.1mmx1mm)。
藉由将DZDH0401DW与低导通电阻MOSFET搭配使用,设计人员能利用远低于萧特基二极管解决方案的功耗,尤其适用于高功率应用。效率提高就能降低热管理成本,并提高系统可靠性。AQR112C-B0-C

新产品通过采用自有的结构,成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。
外壳采用屏蔽的密封磁芯,无外部气隙,电感周围具有非常出色的EMC性能.
这些产品的性能不仅涉及到节能,还关系到作为社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的这种社会需求,开发了新的GaN器件,不仅更加节能,而且栅极耐压还高达8V,可以确保坚固型和稳定性。
深圳市优信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com
新元件具有诸多特点和优势,比如:采用金属合金磁芯以获得优异的饱和特性;
GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低,在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。
这样,在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压*3,器件也不会劣化,从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外,该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装,这使得安装工序的操作更容易。
小巧的尺寸与杰出的效能表现使其特别适用于无绳电动工具和自动操作家用/园艺电器 (例如智能吸尘器和智慧割草机)。该装置亦极为适用于其它应用,包括用于数据中心服务器的热插入和N+1备用电源供应器中的OR-ing 整流器。
DIODES™的DZDH0401DW采用SOT363封装 (尺寸为2.15mmx2.1mmx1mm)。
藉由将DZDH0401DW与低导通电阻MOSFET搭配使用,设计人员能利用远低于萧特基二极管解决方案的功耗,尤其适用于高功率应用。效率提高就能降低热管理成本,并提高系统可靠性。AQR112C-B0-C

新产品通过采用自有的结构,成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。
外壳采用屏蔽的密封磁芯,无外部气隙,电感周围具有非常出色的EMC性能.
这些产品的性能不仅涉及到节能,还关系到作为社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的这种社会需求,开发了新的GaN器件,不仅更加节能,而且栅极耐压还高达8V,可以确保坚固型和稳定性。
深圳市优信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com