汽车级InnoSwitch3-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率，并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。

新款900V InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-AQ恒压/恒流离线反激式开关IC采用同步整流、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)的反激式控制器。FluxLink™通信技术可使IC封装位于安规隔离带上，从而提高效率并省去光耦器。

900V的PowiGaN开关非常有用，因为它可以轻松应对汽车环境中经常出现的高电感噪声尖峰。

WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫欧650伏SuperGaN® FET。表面贴装器件采用24引脚8x8 QFN封装，可减少印刷电路板尺寸。

其它主要规格包括：

峰值功率效率：>93%

功率密度：26W/in3

宽输出电压操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

最大频率：180kHz

目标拓扑结构：QR反激模式/谷值开关多模操作

系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片,用于适配器USB PD控制器IC的全球领导者之一.

WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片，设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其它智能设备充电的45至100瓦USB-C PD电源适配器。峰值功率效率超过93%。

从事混合信号/数字IC产品的规划、设计、测试、应用开发和分销，产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。向市场推出该SiP新品，标志伟诠电子取得一项重大成就，GaN SiP对AC-DC电源市场的承诺——使用Transphorm的SuperGaN®技术提供完整的系统级解决方案。

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