内部钳位器分流±100V浪涌电压保护下游组件并增强系统稳健性
发布时间:2024/4/25 22:27:33 访问次数:136
内置的PMBus™接口能提供灵活而全面的数字通信，具有控制和监测电压、电流、温度的功能并能报告故障状况。
内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。
OCP9225AH具有过电压保护功能，如果输入电压超过OVP阈值，可使内部FET断电。OVP阈值可通过可选的外部电阻器进行调节，公式为VIN_OVLO=1.2×(R1+R2)/R2。过温保护也会在140℃时关闭设备（典型情况）。
最低的3.3kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD，让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。
许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。
虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案，但到目前为止，3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。
Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比，它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能，在效率上还有了显著提升。
Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点.
深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com
内置的PMBus™接口能提供灵活而全面的数字通信，具有控制和监测电压、电流、温度的功能并能报告故障状况。
内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。
OCP9225AH具有过电压保护功能，如果输入电压超过OVP阈值，可使内部FET断电。OVP阈值可通过可选的外部电阻器进行调节，公式为VIN_OVLO=1.2×(R1+R2)/R2。过温保护也会在140℃时关闭设备（典型情况）。
最低的3.3kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD，让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。
许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。
虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案，但到目前为止，3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。
Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比，它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能，在效率上还有了显著提升。
Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点.
深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
