MOSFET并联和电流共享使温度变得更加均匀且减少了并联的数量
发布时间:2024/4/23 9:00:11 访问次数:95
与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。
在二极管性能方面，OptiMOS 6 200V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了89%，使开关和EMI性能均得到明显改善。
OptiMOS 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。
集成AIE的处理器包含高通Hexagon向量处理器，支持面向更高水平、更复杂的AI功能的向量数学。
该技术还提升了寄生电容线性度（Coss和Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的VGS(th)分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
骁龙632处理器是在骁龙625处理器和骁龙626处理器的基础上升级而来，支持AI以及极速LTE等用户体验。
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