600V IGBT采用稳健经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构
发布时间:2024/4/22 0:23:50 访问次数:122
凭借600V器件进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场第一炮。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此,这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用(如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等)的效率和可靠性。

每路输出都有单独的过载保护机制,这样,没有过载的通道就可以继续正常运行。
八路输出开关ISO808、ISO808A、ISO808-1和ISO808A-可驱动所有类型的单侧接地工业负载,例如,容性负载、阻性负载和感性负载。典型用例是可编程逻辑控制器(PLC)、工业 PC和计算机数控(CNC)机,特别是需要隔离电流以增强保护功能的智能工厂敏感电子设备。
这些开关的性能和特性有助于工业应用符合适用的国际标准,包括IEC 61000规范的静电放电(ESD)、电气瞬变和工频磁场抗扰度,符合UL1577和UL508隔离规范以及VDE 0844-11安全限制。
产品特性
电流测量范围:±10A~±65A;
电流响应时间: 带宽范围:DC~500kHz;
测量误差:±1%(室温工况);
原边导体电阻:1mOhm;
绝缘耐压强度:4.8kV(TMR7616),3kV(TMR7608);
爬电间隙:8.2mm(TMR7616),4mm(TMR7608)。
深圳市金泽顺电子有限公司http://jzs.51dzw.com
凭借600V器件进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场第一炮。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此,这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用(如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等)的效率和可靠性。

每路输出都有单独的过载保护机制,这样,没有过载的通道就可以继续正常运行。
八路输出开关ISO808、ISO808A、ISO808-1和ISO808A-可驱动所有类型的单侧接地工业负载,例如,容性负载、阻性负载和感性负载。典型用例是可编程逻辑控制器(PLC)、工业 PC和计算机数控(CNC)机,特别是需要隔离电流以增强保护功能的智能工厂敏感电子设备。
这些开关的性能和特性有助于工业应用符合适用的国际标准,包括IEC 61000规范的静电放电(ESD)、电气瞬变和工频磁场抗扰度,符合UL1577和UL508隔离规范以及VDE 0844-11安全限制。
产品特性
电流测量范围:±10A~±65A;
电流响应时间: 带宽范围:DC~500kHz;
测量误差:±1%(室温工况);
原边导体电阻:1mOhm;
绝缘耐压强度:4.8kV(TMR7616),3kV(TMR7608);
爬电间隙:8.2mm(TMR7616),4mm(TMR7608)。
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