底部电极和侧面的部分L形状使其尤为适合高密度表面贴装
发布时间:2024/4/10 19:46:45 访问次数:66
DDR5 RCD03芯片支持高达6400 MT/s的数据速率,相较第二子代提升14.3%,相较第一子代提升33.3%。
与DDR4世代的RCD产品相比，该款芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，功耗显著降低；支持更高密度的DRAM，单模组最大容量可达256GB。
在DDR5 RCD03芯片的研发和试产上均保持行业领先。澜起将继续与国际主流CPU和DRAM厂商紧密合作，助力DDR5服务器大规模商用。
PLEA85系列的尺寸仅为1.0毫米(长)x0.8毫米(宽)x 0.55毫米（高），可帮助工程师实现小型化设计，充分发挥CSP等低剖面IC的优势。底部电极和侧面的部分L形状使其尤为适合高密度表面贴装，有助于抑制安装过程中发生的错位问题，并提高端子强度，进而打造出更加稳固的终端产品。
性能和密度更高的可穿戴设备，因而市场对更薄、更轻、更小的电子元件的需求也将随之增加。
为了满足市场需求，TDK将进一步扩大其高效、小型化、低剖面电感器产品阵容，为电源电路提供关键元件。
DDR5内存技术和生态系统发展的前沿，支持可靠和可扩展的行业标准。
IT7800/7900/7900P拓展了E机型，在3U的有限空间里面，功率输出提升到了21kVA，对比传统交流电源，大大节约了测试空间，进一步提升性价比，为用户提供了更具竞争力的大功率测试方案。
深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz01.51dzw.com
DDR5 RCD03芯片支持高达6400 MT/s的数据速率,相较第二子代提升14.3%,相较第一子代提升33.3%。
与DDR4世代的RCD产品相比，该款芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，功耗显著降低；支持更高密度的DRAM，单模组最大容量可达256GB。
在DDR5 RCD03芯片的研发和试产上均保持行业领先。澜起将继续与国际主流CPU和DRAM厂商紧密合作，助力DDR5服务器大规模商用。
PLEA85系列的尺寸仅为1.0毫米(长)x0.8毫米(宽)x 0.55毫米（高），可帮助工程师实现小型化设计，充分发挥CSP等低剖面IC的优势。底部电极和侧面的部分L形状使其尤为适合高密度表面贴装，有助于抑制安装过程中发生的错位问题，并提高端子强度，进而打造出更加稳固的终端产品。
性能和密度更高的可穿戴设备，因而市场对更薄、更轻、更小的电子元件的需求也将随之增加。
为了满足市场需求，TDK将进一步扩大其高效、小型化、低剖面电感器产品阵容，为电源电路提供关键元件。
DDR5内存技术和生态系统发展的前沿，支持可靠和可扩展的行业标准。
IT7800/7900/7900P拓展了E机型，在3U的有限空间里面，功率输出提升到了21kVA，对比传统交流电源，大大节约了测试空间，进一步提升性价比，为用户提供了更具竞争力的大功率测试方案。
深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz01.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
