材料和封装技术将芯片与散热片之间热阻减至更小实现更高功率密度
发布时间:2024/4/6 15:24:19 访问次数:93
全碳化硅(SiC)功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。
碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。
全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平全桥、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。
同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
四排板对板连接器。这些连接器采用交错式电路布局和0.175mm脚距薄型设计，并且已申请专利，与传统连接器相比可节省30%的空间。
此外，该产品遵循标准的0.35mm焊接间距，可加快采用典型表面贴装技术 (SMT) 工艺的量产速度。依靠器件的内部铠装和插入模制钉设计，可避免引脚在量产和装配过程中损坏，确保这些连接器拥有稳定、可靠的性能。
这些特性加上较宽的对齐空间，有助于实现牢固、轻松的插配，并降低掉落率。
它们让产品开发人员和设备制造商能够更加自由、灵活地支持紧凑的外型尺寸，是增强现实/虚拟现实 (AR/VR)、汽车、通信、物联网、医疗和可穿戴应用的理想选择。
四排板对板连接器的额定电流为3.0A，能够以紧凑的外形尺寸传输高功率。
全碳化硅(SiC)功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。
碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。
全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平全桥、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。
同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
四排板对板连接器。这些连接器采用交错式电路布局和0.175mm脚距薄型设计，并且已申请专利，与传统连接器相比可节省30%的空间。
此外，该产品遵循标准的0.35mm焊接间距，可加快采用典型表面贴装技术 (SMT) 工艺的量产速度。依靠器件的内部铠装和插入模制钉设计，可避免引脚在量产和装配过程中损坏，确保这些连接器拥有稳定、可靠的性能。
这些特性加上较宽的对齐空间，有助于实现牢固、轻松的插配，并降低掉落率。
它们让产品开发人员和设备制造商能够更加自由、灵活地支持紧凑的外型尺寸，是增强现实/虚拟现实 (AR/VR)、汽车、通信、物联网、医疗和可穿戴应用的理想选择。
四排板对板连接器的额定电流为3.0A，能够以紧凑的外形尺寸传输高功率。
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