两个DSC内核中通过提高切换频率实现更高功率密度缩小组件大小
发布时间:2024/3/30 13:27:06 访问次数:54
EPC2065的横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的总栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷 (QRR)。
这些特性使其非常适合需要超高开关频率（高达几百千赫兹）和低导通时间的应用场景，以及导通损耗占主导地位的场景。
相比之下，电流更高的EPC9167HC配置在每个开关位置使用两个并联FET，可提供高达20ARMS/30ARMS（标称值/峰值）的最大输出电流，这表明GaN FET可相对容易地进行并联配置，以获得更高输出电流。
有两个类似的支持评估套件：EPC9167KIT用于20A/500W的应用，而更大功率的 EPC9167HCKIT用于20A/1kW的应用,两者均为三相BLDC电机驱动变频器评估板。
EPC9167KIT的基本配置为每个开关位置使用单个FET，每相可提供高达15ARMS（标称值和20ARMS（峰值）的电流。
ADuCM355独特地结合了实现新一代便携式气体检测器所需的高性能、超低功耗、小尺寸和先进的特性组合。
数字信号控制器(DSC)，该控制器采用单芯片、双dsPIC DSC内核配置，将为设计高端嵌入式控制应用的系统开发人员带来福音。
在数字电源中，副核负责管理需要大量数学运算的算法，而主核独立管理PMBus™协议栈，并提供系统监控功能，从而提高整体系统性能和响应能力。
在一款器件中将全部工作负载分配到两个DSC内核中通过提高切换频率可以实现更高的功率密度，缩小组件大小。
dsPIC33CH系列专为实时更新系统而设计，这对于必须在零停机时间下进行固件更新的电源尤为重要。
EPC2065的横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的总栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷 (QRR)。
这些特性使其非常适合需要超高开关频率（高达几百千赫兹）和低导通时间的应用场景，以及导通损耗占主导地位的场景。
相比之下，电流更高的EPC9167HC配置在每个开关位置使用两个并联FET，可提供高达20ARMS/30ARMS（标称值/峰值）的最大输出电流，这表明GaN FET可相对容易地进行并联配置，以获得更高输出电流。
有两个类似的支持评估套件：EPC9167KIT用于20A/500W的应用，而更大功率的 EPC9167HCKIT用于20A/1kW的应用,两者均为三相BLDC电机驱动变频器评估板。
EPC9167KIT的基本配置为每个开关位置使用单个FET，每相可提供高达15ARMS（标称值和20ARMS（峰值）的电流。
ADuCM355独特地结合了实现新一代便携式气体检测器所需的高性能、超低功耗、小尺寸和先进的特性组合。
数字信号控制器(DSC)，该控制器采用单芯片、双dsPIC DSC内核配置，将为设计高端嵌入式控制应用的系统开发人员带来福音。
在数字电源中，副核负责管理需要大量数学运算的算法，而主核独立管理PMBus™协议栈，并提供系统监控功能，从而提高整体系统性能和响应能力。
在一款器件中将全部工作负载分配到两个DSC内核中通过提高切换频率可以实现更高的功率密度，缩小组件大小。
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