高功率密度需求面对高电压和开关频率不会降低系统可靠性
发布时间:2024/3/14 8:34:16 访问次数:78
新一代的STM32MP2系列工业级微处理器(MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。
目前的趋势是把更多工作任务下沉到通常部署在物联网边缘的智能设备上，对这些设备提出了响应更快、能效更高的要求，我们的嵌入式MPUs专为这种趋势设计。
STM32MP2新品扩展了性能轨迹，引入了我们最强大的处理器引擎，现在更增添了边缘AI加速器，并且得到STM32生态系统的支持，从而加快产品开发周期。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
为了实现更快的充电速度、适配更高的电动汽车电池电压并提高整体能效，DCFC必须在更高的电压和功率水平下运行。
以太网供电(PoE)受电设备(PD)系列产品，为各种物联网(IoT)应用提供一流的集成度和效率。Silicon Labs的Si3406x和Si3404系列产品在单个PD芯片上包含了所有必要的高压分立元件。
新的PD IC支持IEEE 802.3 PoE+受电能力、效率超过90%的灵活的电源转换选项、强大的睡眠/唤醒/LED支持模式以及出色的抗电磁干扰能力。应用于IP摄像机、无线接入点、IP电话和智能照明等应用领域。
安徽纽本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
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目前的趋势是把更多工作任务下沉到通常部署在物联网边缘的智能设备上，对这些设备提出了响应更快、能效更高的要求，我们的嵌入式MPUs专为这种趋势设计。
STM32MP2新品扩展了性能轨迹，引入了我们最强大的处理器引擎，现在更增添了边缘AI加速器，并且得到STM32生态系统的支持，从而加快产品开发周期。
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CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
为了实现更快的充电速度、适配更高的电动汽车电池电压并提高整体能效，DCFC必须在更高的电压和功率水平下运行。
以太网供电(PoE)受电设备(PD)系列产品，为各种物联网(IoT)应用提供一流的集成度和效率。Silicon Labs的Si3406x和Si3404系列产品在单个PD芯片上包含了所有必要的高压分立元件。
新的PD IC支持IEEE 802.3 PoE+受电能力、效率超过90%的灵活的电源转换选项、强大的睡眠/唤醒/LED支持模式以及出色的抗电磁干扰能力。应用于IP摄像机、无线接入点、IP电话和智能照明等应用领域。
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