两对开关管轮流通/断在变压器原边线圈中形成正/负交变脉冲电流
发布时间:2024/3/13 20:33:09 访问次数:45
一款TOLT封装形式的SuperGaN®FET.新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。
TP65H070G4RS采用Transphorm强大的高性能650V常闭型d-mode氮化镓平台,该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。
SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。
由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。
由同一组信号驱动，同时导通/关端;T2、T3为另一对，由另一组信号驱动，同时导通/关端。两对开关管轮流通/断，在变压器原边线圈中形成正/负交变的脉冲电流。
两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP，与竞争方案相比，客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计，从而实现规模效益。
65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。
在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好,最实用的解决方案,对我们来说最为重要。
安徽纽本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
一款TOLT封装形式的SuperGaN®FET.新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。
TP65H070G4RS采用Transphorm强大的高性能650V常闭型d-mode氮化镓平台,该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。
SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。
由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。
由同一组信号驱动，同时导通/关端;T2、T3为另一对，由另一组信号驱动，同时导通/关端。两对开关管轮流通/断，在变压器原边线圈中形成正/负交变的脉冲电流。
两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP，与竞争方案相比，客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计，从而实现规模效益。
65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。
在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好,最实用的解决方案,对我们来说最为重要。
安徽纽本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
相关技术资料- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 5-10全新SRP5030HMT 屏蔽式功率电感系列
- 5-10SiC 模块、激光雷达、高精度传感器工作原理
- 5-10瑞芯微 RK3588M结构技术参数设计
- 5-10安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片发展趋势
- 5-10高端电源芯片和智能功率器件发展前景分析
- 5-10SerDes 芯片组 NLS9116 和 NLS9246探究
公网安备44030402000607
