MS5510是8比特，20MSPS模数转换器（ADCs）,同时使用一个半闪速结构。可Pin to Pin兼容TLC5510。MS5510在5V的电源电压下工作，其典型功耗只有130mW，包括一个内部的采样保持电路，具有高阻抗方式的并行输出口以及内部基准电阻。

模式二通过内部电阻区产生标准的4V满度转换范围,这减少对外部基准或电阻器的需求。

差分线性度在25℃温度下为0.5LSB，在整个工作温度范围内的最大值是0.75LSB。用差分增益1%和差分相位为0.7%可以规定动态特性范围。

MS5510的工作温度-45℃至85℃。

此功能可降低器件耗电量，有助于延长其所使用的单芯锂离子、镍锂和锂聚合物电池的续航时间。

Nexperia NEX1000xUB电源IC结合了LDO稳压器、集成式升压转换器和集成了有源输出放电功能的负电荷泵，采用小于标准晶圆级封装，尺寸为1.16mm×1.96mm×0.62mm、间距为0.4mm的WLCSP封装，具备可编程的电源效率。

作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。

这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。

现目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品阵容。

GaN是一种新兴材料，可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。

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