控制开关管的通断就可以使得发送端流向接收端的电流
发布时间:2024/3/11 8:54:01 访问次数:132
LVDS是一种电流驱动的高速信号,在发送端施加一个3.5mA的恒定电流源。
控制开关管的通断,就可以使得发送端流向接收端的电流,在正向和反向之间不断变化,从而在接收端的100欧姆差分负载上实现+/-350mV的差分电压变化,最高可实现3.125Gbps的高速数据传输。LVDS采用差分线的传输方式,会带来几个显著的优势:
允许发送端和接收端之间存在共模电压差异(0-2.4V范围内)
优秀的抗干扰能力,信噪比极佳
极低的电压摆幅,功耗极低
单通道型号和多通道型号产品
i-BEAM系列产品是双向回馈式程控直流电源,可配置为单通道,双通道和四通道的系统。
单通道型号产品支持能量输出和能量回馈,且可在电源和回馈模式无缝切换。
多通道型号产品除了具有单通道型号产品的特性,还具有更多的优势特性。
多通道i-BEAM系列产品支持通道并联,可根据需求两两通道并联或全部通道并联。
多通道i-BEAM系列产品具有内部直流链路,可将电流从整流器传输到每个DC/DC转换器,支持通道间共享电能,在测试中减少电能损失。
多通道i-BEAM系列产品支持多个产品同时测试,任意通道的被测物生成的电能可直接回馈至直流链路,为其他通道提供电能,降低整体的交流负载峰值,提升了电能效率,提高了测试的灵活性。

JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的标准,可提供两倍于GDDR6的带宽,达到了192GB/s,以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。
JES239 GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM。其PAM3接口增加了在高频时的信噪比(SNR),同时提升了能效,通过使用3个电平(+ 1,0,-1)在2个周期内传输3个bit,相比传统的NRZ(不归零)接口要更强。
在PAM3得加持下,可提供了更高的每个周期的数据传输速率,显著提高显存的性能。

LVDS是一种电流驱动的高速信号,在发送端施加一个3.5mA的恒定电流源。
控制开关管的通断,就可以使得发送端流向接收端的电流,在正向和反向之间不断变化,从而在接收端的100欧姆差分负载上实现+/-350mV的差分电压变化,最高可实现3.125Gbps的高速数据传输。LVDS采用差分线的传输方式,会带来几个显著的优势:
允许发送端和接收端之间存在共模电压差异(0-2.4V范围内)
优秀的抗干扰能力,信噪比极佳
极低的电压摆幅,功耗极低
单通道型号和多通道型号产品
i-BEAM系列产品是双向回馈式程控直流电源,可配置为单通道,双通道和四通道的系统。
单通道型号产品支持能量输出和能量回馈,且可在电源和回馈模式无缝切换。
多通道型号产品除了具有单通道型号产品的特性,还具有更多的优势特性。
多通道i-BEAM系列产品支持通道并联,可根据需求两两通道并联或全部通道并联。
多通道i-BEAM系列产品具有内部直流链路,可将电流从整流器传输到每个DC/DC转换器,支持通道间共享电能,在测试中减少电能损失。
多通道i-BEAM系列产品支持多个产品同时测试,任意通道的被测物生成的电能可直接回馈至直流链路,为其他通道提供电能,降低整体的交流负载峰值,提升了电能效率,提高了测试的灵活性。

JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的标准,可提供两倍于GDDR6的带宽,达到了192GB/s,以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。
JES239 GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM。其PAM3接口增加了在高频时的信噪比(SNR),同时提升了能效,通过使用3个电平(+ 1,0,-1)在2个周期内传输3个bit,相比传统的NRZ(不归零)接口要更强。
在PAM3得加持下,可提供了更高的每个周期的数据传输速率,显著提高显存的性能。
