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窄电气参数分布消除单个和并联器件操作中的短路振荡现象

发布时间:2024/3/10 16:31:23 访问次数:78

振荡升压电路由电阻器Rl-R3,电容器Cl-C3,晶闸管VTl-VT3,二极管VDl-VD6和升压变压器Tl-T3组成。

脉冲高压经l0倍压整流 (VD7-VD9和C4、C8、C9为3倍压整流;VDlO-VDl2和C5、ClO、Cl1为3倍压整流;VDl3-VDl6和C6、C7、Cl2、C13为4倍压整流)后,产生1OOkV的直流高压。

高压发生器工作后,在放电间隙(司隙可调)产生放电火花,这样既可限制输出电压过高,又可以指示高压的有无。

整个电路安装完毕后,应用环氧树脂封装或浸在变压器油中,防止对空气放电。

新型热敏电阻符合AEC-Q200标准,具有自我保护功能,无过热危险,主要用于各种过载保护,包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。

元件可承受至少10万次浪涌循环,以及在25kW功率条件下(不触发跳变)具备高度迅速的恢复能力。

PTCEL系列有两种尺寸可供选择:小电阻PTCEL13R和大电阻PTCEL17,分别用于低能量和高能量应用。所有器件采用卷盘式包装,引线节距为5mm。

第7代IGBT场截止(FS7)技术,具备高效率和高稳健性。优化的开关单元设计和缓冲配置,以及窄电气参数分布,可消除单个和并联器件操作中的短路振荡现象。

此外,该技术还采用亚微米沟槽栅单元间距,增加了通道密度,降低了导通损耗。

同时,经过优化的栅极电容确保了平滑的开关波形和较低的开关损耗。发射极一侧采用多层FS技术增强了阻断能力,减小了漂移层厚度,从而降低了导通和开关能量损失。FS7 IGBT的开发侧重于优化Vcesat和Eoff,以实现先进的器件性能。

http://yushuollp.51dzw.com

振荡升压电路由电阻器Rl-R3,电容器Cl-C3,晶闸管VTl-VT3,二极管VDl-VD6和升压变压器Tl-T3组成。

脉冲高压经l0倍压整流 (VD7-VD9和C4、C8、C9为3倍压整流;VDlO-VDl2和C5、ClO、Cl1为3倍压整流;VDl3-VDl6和C6、C7、Cl2、C13为4倍压整流)后,产生1OOkV的直流高压。

高压发生器工作后,在放电间隙(司隙可调)产生放电火花,这样既可限制输出电压过高,又可以指示高压的有无。

整个电路安装完毕后,应用环氧树脂封装或浸在变压器油中,防止对空气放电。

新型热敏电阻符合AEC-Q200标准,具有自我保护功能,无过热危险,主要用于各种过载保护,包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。

元件可承受至少10万次浪涌循环,以及在25kW功率条件下(不触发跳变)具备高度迅速的恢复能力。

PTCEL系列有两种尺寸可供选择:小电阻PTCEL13R和大电阻PTCEL17,分别用于低能量和高能量应用。所有器件采用卷盘式包装,引线节距为5mm。

第7代IGBT场截止(FS7)技术,具备高效率和高稳健性。优化的开关单元设计和缓冲配置,以及窄电气参数分布,可消除单个和并联器件操作中的短路振荡现象。

此外,该技术还采用亚微米沟槽栅单元间距,增加了通道密度,降低了导通损耗。

同时,经过优化的栅极电容确保了平滑的开关波形和较低的开关损耗。发射极一侧采用多层FS技术增强了阻断能力,减小了漂移层厚度,从而降低了导通和开关能量损失。FS7 IGBT的开发侧重于优化Vcesat和Eoff,以实现先进的器件性能。

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