充电阶段N管导通损耗和续流阶段P管导通损耗及恒流源的功率损耗
发布时间:2024/3/3 16:32:14 访问次数:76
CMOS的正低压差线性稳压器（LDO），具有500毫安/1.0安的特点，可提供高功率抑制比、高输出电压精度、低噪声和低电源电流.
它由一个基准电压源、一个误差放大器、一个用于输出电压设置的电阻梯组成。它还具有欠压锁定（UVLO）、过流/短路保护电路和过热关机电路。
ZCC8801通常具有90mV的压降（DFN1216-8，Iout=500mA，Vout=1.8V）和180mA的跌落电压（DFN1216-8，Iout=1A，Vout=1.8V）和芯片启用功能（EN），可延长电池寿命。
优良的纹波抑制、负载瞬态和线路瞬态响应使其成为微光条件下移动通信设备或相机模块电源的理想选择。它还可以在满负荷情况下开启，适用于恶劣的系统环境。
对于DFN1216-8封装版本，ZCC8801系列LDO可通过在“H”或“L”之间交替LCON引脚来选择输出电流限制在1.0A或500mA之间。
芯片供电电压偏低时芯片为维持目标电流值会切换成BOOST模式，此时芯片损耗主要是由开关损耗和导通损耗组成，大电流应用场景下开关损耗占比较小，导通损耗占主导地位，此时导通损耗主要是由充电阶段的N管导通损耗和续流阶段P管导通损耗以及恒流源的功率损耗三部分构成.
AW36501DNR单灯应用时可以短接LED1/LED2驱动单颗LED灯，除了常规的单颗闪光灯应用，双路驱动单灯总电流可以达到1.5A，可以满足部分大功率应用场景。
CMOS的正低压差线性稳压器（LDO），具有500毫安/1.0安的特点，可提供高功率抑制比、高输出电压精度、低噪声和低电源电流.
它由一个基准电压源、一个误差放大器、一个用于输出电压设置的电阻梯组成。它还具有欠压锁定（UVLO）、过流/短路保护电路和过热关机电路。
ZCC8801通常具有90mV的压降（DFN1216-8，Iout=500mA，Vout=1.8V）和180mA的跌落电压（DFN1216-8，Iout=1A，Vout=1.8V）和芯片启用功能（EN），可延长电池寿命。
优良的纹波抑制、负载瞬态和线路瞬态响应使其成为微光条件下移动通信设备或相机模块电源的理想选择。它还可以在满负荷情况下开启，适用于恶劣的系统环境。
对于DFN1216-8封装版本，ZCC8801系列LDO可通过在“H”或“L”之间交替LCON引脚来选择输出电流限制在1.0A或500mA之间。
芯片供电电压偏低时芯片为维持目标电流值会切换成BOOST模式，此时芯片损耗主要是由开关损耗和导通损耗组成，大电流应用场景下开关损耗占比较小，导通损耗占主导地位，此时导通损耗主要是由充电阶段的N管导通损耗和续流阶段P管导通损耗以及恒流源的功率损耗三部分构成.
AW36501DNR单灯应用时可以短接LED1/LED2驱动单颗LED灯，除了常规的单颗闪光灯应用，双路驱动单灯总电流可以达到1.5A，可以满足部分大功率应用场景。
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