栅极引脚布局与34mm工业标准封装100%兼容用机械插接方式更换
发布时间:2024/3/2 21:27:44 访问次数:50
半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。
模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。
产品特点
行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围
通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。
内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。
与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。
行业先端的65%漏极效率，实现低功耗
针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。
漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。
双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本
与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。
兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。
分立式FET解决方案的最新产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。
高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。
http://yushuollp.51dzw.com
半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。
模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。
产品特点
行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围
通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。
内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。
与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。
行业先端的65%漏极效率，实现低功耗
针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。
漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。
双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本
与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。
兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。
分立式FET解决方案的最新产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。
高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。
http://yushuollp.51dzw.com
相关技术资料- 9-24将天线单纯地小型化寄生元件与接地之间的电磁场耦合会变强
- 9-24新驱动器适配额定耐压在1700V以内62mm碳化硅MOSFET模块和硅IGBT模
- 9-2470毫欧和150毫欧SuperGaN器件实现高效AC-DC功率转换和高功率密度
- 9-23降低高频信号中插入损耗并抑制功率衰减实现高速信号传输半导体测试设备引脚电子器件
- 9-23最小栅极输入脉宽1.25纳秒高速开关助力产品实现小型化节能和更高性能
- 9-23环境温度过高芯片进入过热保护状态随温度升高逐渐减小LED输出电流
- 9-23TEPS45-65F电源适用于II类设备无需接地即可实现低噪声性能
- 9-23单芯片解决方案尺寸仅有3.3mm²可简化设计并缩短开发时间
- 9-2354V高压保护防止Type-C连接器上高压VBUS引脚意外短路提高使用安全性
- 9-23轨道电流信号可以很容易地转换为IC输出引脚的放大电压信号
- 9-23SPAD产品的选择范围提升解决众多视近红外功能至关重要新兴应用能力
- 9-23紫外线和可见光已被抑制使用SPAD器件将降低可见光过滤复杂度
公网安备44030402000607
