P沟道MOSFET通过拉低其栅极电平而接通将栅极连接至输入电压而断开

发布时间:2024/2/28 20:31:09 访问次数:64

HV600/HV650系列硅基GaN材料采用低阻的8英寸硅衬底，通过预应变技术解决硅衬底和GaN的热失配问题，并根据应用需求选择合适的外延层结构。

为满足600V/650V耐压需要，用超过4微米的厚膜外延生长技术。通过优化的GaN外延晶体生长控制，解决了GaN与硅材料因晶格失配导致的晶圆翘曲、晶体质量缺陷等问题。

HV600/HV650系列材料实现了无龟裂、低翘曲度（≤±50μm）与低表面粗糙度（≤0.3nm），满足了8英寸功率器件的量产加工要求。

为了开关电源，一般在汽车电路中会使用机电继电器。为了节省空间，会用N沟道和P沟道MOSFET等固态开关取代继电器，从而产生所有组件都在同一块电路板上、可以统一采用再流焊工艺组装的PCB设计。P沟道MOSFET通过拉低其栅极电平而接通，通过将栅极连接至输入电压而断开。

与N沟道MOSFET相比，P沟道MOSFET在导通电阻相同时成本更高，而且其选择范围很窄，限于较大电流值(高于10A)情况。N沟道MOSFET是应对大电流的最佳选择，但是需要充电泵，以提高栅极电压，使其高于输入电压。

例如，12V输入需要22V栅极电压，即MOSFET栅极要高出输入10V。一个电源开关电路的实现。

为了计算功率，必须使用通过ADC数字接口访问ADC数据的微控制器或处理器，以实现电压读数和电流读数相乘。要监视能耗，需要在一定时间内累计(相加)功率读数。

R41Z和BMD-300系列模块都通过了完整认证并有配套的Rigado评估套件。

HV600/HV650采用了优化的GaN外延缺陷控制技术，在实现高耐压厚膜生长的同时，实现了低位错密度与高晶体质量，其XRD(002/102)半高宽分别小于400/500 arcsecs。

HV600/HV650系列硅基GaN材料采用低阻的8英寸硅衬底，通过预应变技术解决硅衬底和GaN的热失配问题，并根据应用需求选择合适的外延层结构。

HV600/HV650系列材料实现了无龟裂、低翘曲度（≤±50μm）与低表面粗糙度（≤0.3nm），满足了8英寸功率器件的量产加工要求。

例如，12V输入需要22V栅极电压，即MOSFET栅极要高出输入10V。一个电源开关电路的实现。

R41Z和BMD-300系列模块都通过了完整认证并有配套的Rigado评估套件。

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