SSD可抹写次数降低造成容量TLC SSD在耐用程度上不及SLC/MLC SSD
发布时间:2024/2/21 19:49:35 访问次数:60
微缩储存单位的作法,却也令SSD的可抹写次数降低,造成容量较大的TLC SSD在耐用程度上,远远不及SLC/MLC SSD。
在3D NAND Flash改采垂直立体的堆叠方式来扩增容量后,每一层储存单位微缩程度不需太大,使TLC SSD能在保持低廉价格的同时,也逐渐减少与MLC SSD在使用寿命上(可抹写次数)的差距。
而NVMe的应用更让SSD突破了传统SATA Gen3的最大频宽限制,除了使用64层3D堆叠技术使其在NAND Flash晶片体积不变的情况下容量提升至1TB。
运用PCIe Gen3x4通道,NVMe Revision 1.2.1,使「XG5」的连续读取、写入速度大幅提升至3,000MB/s和2,100MB/s。这样的连续读取效能已是传统6Gb/s SATA介面的5.4倍,连续写入速度也快了3.8倍。
包括RGMII端口,具备功耗低、扩展性强、技术规范先进等显著优势,可广泛应用于整机(包括便携终端)、服务器、嵌入式工控等领域,满足更多的市场需求。
当一相电源触及设各的外壳时.便引起该相短路,极大的短路电流使得系统中的保护装置动作(如熔断器熔断、空气开关跳闸等),从而切断电源,防止触电事故的发生。

为配合KX-5000,提升其扩展性,兆芯还设计研发了ZX-200 IO扩展芯片。ZX-200 IO扩展芯片既可以配合兆芯CPU使用,也可以搭配第三方芯片用以扩展。
ZX-200向下兼容PCIE 2.0规范,内部集成SATA和USB控制器,可扩展出4个SATA3接口,以及2个USB3.1 Gen2(支持TYPE-C规范),3个USB 3.1 Gen1以及6个USB 2.0共计11个USB端口.
微缩储存单位的作法,却也令SSD的可抹写次数降低,造成容量较大的TLC SSD在耐用程度上,远远不及SLC/MLC SSD。
在3D NAND Flash改采垂直立体的堆叠方式来扩增容量后,每一层储存单位微缩程度不需太大,使TLC SSD能在保持低廉价格的同时,也逐渐减少与MLC SSD在使用寿命上(可抹写次数)的差距。
而NVMe的应用更让SSD突破了传统SATA Gen3的最大频宽限制,除了使用64层3D堆叠技术使其在NAND Flash晶片体积不变的情况下容量提升至1TB。
运用PCIe Gen3x4通道,NVMe Revision 1.2.1,使「XG5」的连续读取、写入速度大幅提升至3,000MB/s和2,100MB/s。这样的连续读取效能已是传统6Gb/s SATA介面的5.4倍,连续写入速度也快了3.8倍。
包括RGMII端口,具备功耗低、扩展性强、技术规范先进等显著优势,可广泛应用于整机(包括便携终端)、服务器、嵌入式工控等领域,满足更多的市场需求。
当一相电源触及设各的外壳时.便引起该相短路,极大的短路电流使得系统中的保护装置动作(如熔断器熔断、空气开关跳闸等),从而切断电源,防止触电事故的发生。

为配合KX-5000,提升其扩展性,兆芯还设计研发了ZX-200 IO扩展芯片。ZX-200 IO扩展芯片既可以配合兆芯CPU使用,也可以搭配第三方芯片用以扩展。
ZX-200向下兼容PCIE 2.0规范,内部集成SATA和USB控制器,可扩展出4个SATA3接口,以及2个USB3.1 Gen2(支持TYPE-C规范),3个USB 3.1 Gen1以及6个USB 2.0共计11个USB端口.