SSD可抹写次数降低造成容量TLC SSD在耐用程度上不及SLC/MLC SSD

发布时间:2024/2/21 19:49:35 访问次数:33

微缩储存单位的作法，却也令SSD的可抹写次数降低，造成容量较大的TLC SSD在耐用程度上，远远不及SLC/MLC SSD。

在3D NAND Flash改采垂直立体的堆叠方式来扩增容量后，每一层储存单位微缩程度不需太大，使TLC SSD能在保持低廉价格的同时，也逐渐减少与MLC SSD在使用寿命上(可抹写次数)的差距。

而NVMe的应用更让SSD突破了传统SATA Gen3的最大频宽限制，除了使用64层3D堆叠技术使其在NAND Flash晶片体积不变的情况下容量提升至1TB。

运用PCIe Gen3x4通道，NVMe Revision 1.2.1，使「XG5」的连续读取、写入速度大幅提升至3,000MB/s和2,100MB/s。这样的连续读取效能已是传统6Gb/s SATA介面的5.4倍，连续写入速度也快了3.8倍。

包括RGMII端口，具备功耗低、扩展性强、技术规范先进等显著优势，可广泛应用于整机（包括便携终端）、服务器、嵌入式工控等领域，满足更多的市场需求。

当一相电源触及设各的外壳时.便引起该相短路,极大的短路电流使得系统中的保护装置动作(如熔断器熔断、空气开关跳闸等),从而切断电源,防止触电事故的发生。

KX-5000系列处理器的性能与Intel i3 6100基本相当，应用体验性能显著提升，能够全面满足主流桌面应用，以及包括4K超高清视频观影等多种娱乐应用需求。

为配合KX-5000，提升其扩展性，兆芯还设计研发了ZX-200 IO扩展芯片。ZX-200 IO扩展芯片既可以配合兆芯CPU使用，也可以搭配第三方芯片用以扩展。

ZX-200向下兼容PCIE 2.0规范，内部集成SATA和USB控制器，可扩展出4个SATA3接口，以及2个USB3.1 Gen2（支持TYPE-C规范），3个USB 3.1 Gen1以及6个USB 2.0共计11个USB端口.

微缩储存单位的作法，却也令SSD的可抹写次数降低，造成容量较大的TLC SSD在耐用程度上，远远不及SLC/MLC SSD。

而NVMe的应用更让SSD突破了传统SATA Gen3的最大频宽限制，除了使用64层3D堆叠技术使其在NAND Flash晶片体积不变的情况下容量提升至1TB。

KX-5000系列处理器的性能与Intel i3 6100基本相当，应用体验性能显著提升，能够全面满足主流桌面应用，以及包括4K超高清视频观影等多种娱乐应用需求。

为配合KX-5000，提升其扩展性，兆芯还设计研发了ZX-200 IO扩展芯片。ZX-200 IO扩展芯片既可以配合兆芯CPU使用，也可以搭配第三方芯片用以扩展。

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