全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。

这项全新的12LP技术与当前市场上的16/14纳米FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。

这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米FinFET产品竞争。世界正在处于向智能互联时代转型之中，这是一个前所未有的趋势。

全新的12LP技术以更高的性能和密度帮助我们的客户在系统层面上继续创新，包括实时连接以及从高端图像处理、汽车电子到工业应用等边缘处理。

我们对这一里程碑式的成就深感骄傲，也很荣幸得到参与该项目的众多业界领头企业的认可。

我们的目标在于通过开发SIL 3设计流程，帮助客户实现最高的集成度与生产力，且不只是纸面上的，而是通过认证的。

电气元件布置图主要是表明电气设各上所有电气元件的实际位置,为电气设各的安装及维修提供必要的资料。

Zynq-7000 SoC是通过功能安全性权威机构TÜV莱茵评估，满足《IEC 61508国际标准·第二部分·附件E》片上冗余要求，并将安全与非安全功能集成于单一器件的首款单芯片应用处理器。

颠覆了业内一贯认为不可能的固化思路，成为将SIL3与HFT=1安全架构及各种非安全(non-safety)应用架构整合到单一芯片上的第一家企业。