GRE1、GRE2和GRE3系列网格电阻适用于机车、谐波滤波器、可再生能源及工业系统中电容器的预充电和放电、动态制动、负载测试、加热器和中性点接地应用。

器件在+40℃下的功率等级达到36kW，工作温度高达+415℃，电阻范围从0.02Ω到240Ω，公差为±10%，电感从5μH到150μH。电阻采用了具有最高冷却效率的双面绝缘，可安装在IP00、IP20和IP23级别的外壳里，在室内和室外条件下使用。

RBEF/RBSF系列绕带电阻非常适合脉冲应用，可满足空间十分紧张的系统中的重载需求。

宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。新器件具有5A峰值驱动电流，在不使用推动级的情况下可驱动300A开关器件;

可以使用外部推动级以高性价比的方式将门极电流增大到60A峰值。该器件可同时为下管和上管推动级MOSFET开关提供N沟道驱动，从而降低系统成本、减小开关损耗和增大输出功率。

新的SID1102K门极驱动器IC能够为设计者提供易于实施的可扩展方案，并且在一个紧凑且坚固的封装内集成了众多重要的安全及保护特性，从而可缩短产品上市时间。

作为大容量FeRAM，实现业界最小级别的待机/休眠电流.

在电子设备中，低功耗要求越来越高，一般采用比如使系统运转过程中无需工作的部件转入低电流模式，以降低设备整体平均功耗等手法来实现低功耗。