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这一串口芯片的寄存器从处理器的角度来看都是独立的I/O端口

发布时间:2024/2/15 10:17:05 访问次数:40

I/O外设是一个非常宽泛的概念。对于存储器外设,其特点是,它所占用的空间是连续的一片。

比如,SDRAM内存就是属于存储器外设,如果其容量是8M字节,那么其占用的地址空间也会是8M的。与存储器外设所不同的是,I/O外设所点用的地址一般都很少。

比如,一个串口芯片可能存在多个寄存器,一个用来查询芯片的状态,一个用来设置芯片的功能,另一个用来读取芯片从串口线所收到的数据,最后,还有一个用来向芯片写数据以向串口线上发送数据。

对于这一串口芯片的寄存器,从处理器的角度来看,都是独立的I/O端口。

由于该硅二极管的正向压降约为O.716V,与正常值O.7V接近,且其反向压降为无穷大。该硅二极管的质量基本正常。

数字电桥使用方法是一种测量仪器,简单地说就是用于测量电阻、电容、电感等的仪器。数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数,包括交流电阻R、电感L及其品质因数o,电容C及其损耗因数D。因此,又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。

数字电桥的测量频率一般为4Hz-8MHz。基本测量误差为O.O2%,―般均在O.l%左右。


IDMA接口是主处理器TMS320C6202B与从处理器ADSP2187N进行通信的接口,IDMA接口为16位总线接口,传输过程中16位总线地址、数据分时使用,采用异步应答的通信方式,将从处理器IDMA接口的16位数据地址复用总线接在主处理器的EMIF接口上,当主处理器访问从处理器内部资源时,CPLD控制电路完成图2IDMA接口电路示意图主从之间的控制;

当从处理器请求与主处理器进行通信时,由从处理器的离散量实现对主处理器中断请求。

一般锗二极管的压降为0.15-0.3V,硅二极管的压降为0.5-0.7V,发光二极管的压降为1.8~2.3V。如果测量的二极管正向压降超出这个范围,则二极管损坏。如果反向压降为0,则二极管被击穿。




I/O外设是一个非常宽泛的概念。对于存储器外设,其特点是,它所占用的空间是连续的一片。

比如,SDRAM内存就是属于存储器外设,如果其容量是8M字节,那么其占用的地址空间也会是8M的。与存储器外设所不同的是,I/O外设所点用的地址一般都很少。

比如,一个串口芯片可能存在多个寄存器,一个用来查询芯片的状态,一个用来设置芯片的功能,另一个用来读取芯片从串口线所收到的数据,最后,还有一个用来向芯片写数据以向串口线上发送数据。

对于这一串口芯片的寄存器,从处理器的角度来看,都是独立的I/O端口。

由于该硅二极管的正向压降约为O.716V,与正常值O.7V接近,且其反向压降为无穷大。该硅二极管的质量基本正常。

数字电桥使用方法是一种测量仪器,简单地说就是用于测量电阻、电容、电感等的仪器。数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数,包括交流电阻R、电感L及其品质因数o,电容C及其损耗因数D。因此,又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。

数字电桥的测量频率一般为4Hz-8MHz。基本测量误差为O.O2%,―般均在O.l%左右。


IDMA接口是主处理器TMS320C6202B与从处理器ADSP2187N进行通信的接口,IDMA接口为16位总线接口,传输过程中16位总线地址、数据分时使用,采用异步应答的通信方式,将从处理器IDMA接口的16位数据地址复用总线接在主处理器的EMIF接口上,当主处理器访问从处理器内部资源时,CPLD控制电路完成图2IDMA接口电路示意图主从之间的控制;

当从处理器请求与主处理器进行通信时,由从处理器的离散量实现对主处理器中断请求。

一般锗二极管的压降为0.15-0.3V,硅二极管的压降为0.5-0.7V,发光二极管的压降为1.8~2.3V。如果测量的二极管正向压降超出这个范围,则二极管损坏。如果反向压降为0,则二极管被击穿。




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