7nm及未来的5nm工艺细节，首先是第一代7nm工艺，今年将会量产，后面还有50多个芯片陆续流片，涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密货币芯片、网络、游戏、5G、自动驾驶芯片等等行业。

7nm工艺的性能将提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度达到3倍水平——原文这里没提到是跟谁对比，不过不可能是10nm，跟10nm工艺对比的结果是性能提升20%或者功耗降低40%，芯片密度1.6倍，因此这里对比的很可能是台积电的16nm工艺。

第一代7nm工艺没有使用EUV光刻工艺，N7+节点才会用上EUV光刻机，不过这个是制造过程的改变，N7+工艺的性能没什么变化，晶体管密度提升大概20%，功耗降低10%。

器件采用小巧扁薄的封装并具有宽输入和输出电压范围,因而成为众多应用的理想选择,包括光学模块、电池供电型设备、基于电池的备份系统、用于功率放大器或激光二极管的偏置电压以及小型DC电机。

突发模式操作中的静态电流仅为25μA，因而可延长电池运行时间。

在叶尖部分由于叶片很薄,散热条件差,很容易烧坏。温度过高也使叶尖处刚度和强度变弱,因此叶根和叶尖部分的温度都不能过高。

燃烧产物对大气的污染要小。有4种主要污染物是受法规控制的。它们是未燃烧的碳氢化合物(未燃烧的燃油)、烟(碳粒子)、一氧化碳和氮的氧化物。

在主燃区的富油区里,碳氢化合物转化成一氧化碳和烟。新鲜的稀释空气可用于在稀释区将一氧化碳和烟氧化成无毒的二氧化碳。污染物的含量随发动机工作状态而变化。