影响DRAM工艺缩减的主要问题是电容。为了可靠地存储数据，电容需要大于一定的阈值。要继续制造出占用面积更小的电容，可以把电容做得更高，薄膜更薄，或者增加薄膜的K值。

但是问题在于，虽然从机械稳定性的角度还可以可靠地做出更高更薄的电容，但是随着薄膜厚度的降低，漏电会增加，而且随着薄膜K值的增加，带隙减小也会导致漏电问题。

当前的标准是使用低漏电的铝基氧化物薄膜和用于高k值的锆基薄膜组成的复合膜，而且目前还不清楚是否还会有更好的替代方案。

传统CPU是采用LGA 1151针脚封装，而主板上有独立CPU插座，这个插座不仅容易损耗，而且还很占高度，这对于生产一体式电脑非常不利，毕竟要整合到屏幕后背上，内部空间简直寸土寸金，采用类似于笔记本的整合型封装更有利于降低高度，保证一体式电脑外观设计更显“瘦”。而Intel对于B后缀的产品市场定位在移动市场上。

而这种B后缀的处理器其实与正常型号的酷睿处理器规格参数都是一样，i7有一款8700B，i5有两款，分别是8500B、8400B，这些都是供OEM厂商使用，市面上应该不会有这类型产品，除非哪一天华擎又要抽风做妖板。

ADS112U04通过支持两个差分输入或四个单端输入测量的灵活输入多路复用器，提供四路模拟输入。

集成式低噪声PGA支持1至128的增益设置。针对噪声环境中的工业应用，当采样速率为20 SPS时，数字滤波器可同时抑制50-Hz和60-Hz噪声。

ADS112U04集成了典型精度为0.5 °C的高线性内部温度传感器，以及用于传感器激励的双匹配可编程电流源(IDAC)。此器件通过一个2线UART兼容接口传输数字数据，可最大限度地减少数字隔离通道数，从而降低成本和功耗并节约板空间。