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小型陶瓷SOT502封装结合大输出功率和以小尺寸提供工作效率优势

发布时间:2024/2/8 12:04:16 访问次数:64

600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。

它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。

BLF0910H9LS600集成了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗,简化了PCB匹配结构的设计,从而可实现紧凑的放大器设计。

FMEA包含详细的微控制器故障模式和相关解决措施;而FMEDA则给出了在微控制器和基本功能层面上计算出的IEC 61508故障率报告静态截图。

X-CUBE-STL软件自检库是一款软件诊断套件,用于检测CPU、SRAM、闪存等STM32安全关键核心元件的随机性硬件故障。

诊断覆盖率验证采用独有的最先进的故障注入方法(fault injection methodology)。X-CUBE-STL整合在开发者熟悉且经过市场检验的STM32Cube工作流程内,与具体应用无关,从而允许与任何用户应用配合使用,以及提供与编译器中立的对象代码形式。

由于其高工作效率——通常高于68%,其冷却需求也保持在最低限度,这有助于进一步降低所需的空间。

BLF0910H9LS600具有高增益的优势——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB类应用中以50V VDS测得——这有助于提高放大器的整体效率。

通过使用2个这种小型SOT502封装的600W晶体管,设计人员可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度,从而有效实现比单个SOT539解决方案更高的效率。


600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。

它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。

BLF0910H9LS600集成了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗,简化了PCB匹配结构的设计,从而可实现紧凑的放大器设计。

FMEA包含详细的微控制器故障模式和相关解决措施;而FMEDA则给出了在微控制器和基本功能层面上计算出的IEC 61508故障率报告静态截图。

X-CUBE-STL软件自检库是一款软件诊断套件,用于检测CPU、SRAM、闪存等STM32安全关键核心元件的随机性硬件故障。

诊断覆盖率验证采用独有的最先进的故障注入方法(fault injection methodology)。X-CUBE-STL整合在开发者熟悉且经过市场检验的STM32Cube工作流程内,与具体应用无关,从而允许与任何用户应用配合使用,以及提供与编译器中立的对象代码形式。

由于其高工作效率——通常高于68%,其冷却需求也保持在最低限度,这有助于进一步降低所需的空间。

BLF0910H9LS600具有高增益的优势——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB类应用中以50V VDS测得——这有助于提高放大器的整体效率。

通过使用2个这种小型SOT502封装的600W晶体管,设计人员可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度,从而有效实现比单个SOT539解决方案更高的效率。


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