充电电流输入电流限制和电池端电压节省BOM成本和电路板空间
发布时间:2024/2/8 0:26:06 访问次数:44
衬底是制作集成薄膜无源元件的基础。它对产品的成本、成品率和性能有很大的影响。集成无源工艺的衬底通常采用标准的氧化物隔离硅圆片、高电阻率硅圆片、玻璃圆片和原来为薄膜显示器行业研制的LAP玻璃材料。圆片和LAP都利用了现有工艺设备能力和批量生产基础设施的优点。
对于电压、电阻、电流三者之间的关系,如果用电压、电流为横坐标和纵坐标,画出电阻和电压、电流之间的关系曲线,该曲线又叫作伏安特性曲线。
它高度集成,集成MOS和power path管理,并设计有内置的过压保护功能。
当伏安特性曲线为直线时,FL该直线通过坐标原点,则该电阻为线性电阻,它的斜率为电阻的倒数;当伏安特性曲线呈现的不是直线时,则称该电阻为非线性电阻。
BQ25606充电芯片可发挥作用,搭配简单的电路即可提供单节电池充电和系统电源方案所需的全部功能。BQ25606可使用仅仅数个电阻值来设置充电电流、输入电流限制和电池端电压,可节省BOM成本和电路板空间。
表面贴装技术中用的电感元件比他们的同伴——电阻和电容元件要昂贵得多。
一个典型的多层金属化工艺能制作2或3层金属,其底金属层( M1 )通常充当接地层和MIM 电容器元件的下极板。上金属层( M2与M3 )则用作传输线、互连线、电感器螺旋线和电容器上极板连线。
选择聚合物电介质对集成无源工艺的工艺体系结构是关键的,对整个工艺的费用和性能也有着明显的影响。在选择夹层材料时,还要考虑聚合物电介质材料的其他特性,包括热稳定性、吸潮性和弹性系数。是有代表性的制造商的已出版的数据。
衬底是制作集成薄膜无源元件的基础。它对产品的成本、成品率和性能有很大的影响。集成无源工艺的衬底通常采用标准的氧化物隔离硅圆片、高电阻率硅圆片、玻璃圆片和原来为薄膜显示器行业研制的LAP玻璃材料。圆片和LAP都利用了现有工艺设备能力和批量生产基础设施的优点。
对于电压、电阻、电流三者之间的关系,如果用电压、电流为横坐标和纵坐标,画出电阻和电压、电流之间的关系曲线,该曲线又叫作伏安特性曲线。
它高度集成,集成MOS和power path管理,并设计有内置的过压保护功能。
当伏安特性曲线为直线时,FL该直线通过坐标原点,则该电阻为线性电阻,它的斜率为电阻的倒数;当伏安特性曲线呈现的不是直线时,则称该电阻为非线性电阻。
BQ25606充电芯片可发挥作用,搭配简单的电路即可提供单节电池充电和系统电源方案所需的全部功能。BQ25606可使用仅仅数个电阻值来设置充电电流、输入电流限制和电池端电压,可节省BOM成本和电路板空间。
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一个典型的多层金属化工艺能制作2或3层金属,其底金属层( M1 )通常充当接地层和MIM 电容器元件的下极板。上金属层( M2与M3 )则用作传输线、互连线、电感器螺旋线和电容器上极板连线。
选择聚合物电介质对集成无源工艺的工艺体系结构是关键的,对整个工艺的费用和性能也有着明显的影响。在选择夹层材料时,还要考虑聚合物电介质材料的其他特性,包括热稳定性、吸潮性和弹性系数。是有代表性的制造商的已出版的数据。