MLCC具有从16V至500V的更大工作电压范围以及从0.1pF至3.3nF的更大电容范围，公差仅有±0.05 pF。该器件提供优异的每十年0%的老化率以及高ESD耐受能力，以防止高压瞬变。

集成无源工艺可以制作单层和叠层螺旋线电感元件。叠层螺旋线电感元件具有更高的单位面积电感值，其倍数接近n2, n在这里是叠层螺旋线的层数。

因此一个典型的2层金属化工艺能集成电感值从 1nH到超过100nH的电感器，每个元件占用的面积不超过1.5mm2。通过仔细地优化电感设计和谨慎地选择材料, 也能使电感值为1～20nH、固有谐振频率为2.5～15GHz的电感的品质因数达到40～70。

典型的集成无源电容器工艺采用两种或一种非铁电体电容材料,以传统的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构实现所要求的电容值和性能。

聚合物电介质材料可以用于制作很低值的电容,其典型的层厚对应5pF/mm2左右的单位电容值。

中间值电容（单位电容值在50～200pF/mm2之间）可以用具有良好射频性能的等离子淀积氮化硅膜作层间介质,它具有很低的电容温度系数( TCC )。电容密度在500pF/mm2 以上的高值电容主要用于射频去耦，可以用阳极氧化铝或氧化钽膜作层间介质。

高品质因数的电感对于在振荡器振荡回路和低损耗的无源滤波和匹配电路中达到必要的低相位噪声是极为重要的。

集成无源工艺所达到的电感性能在很大程度上与导电材料在人们感兴趣的频率上的特性和这些元件的设计水平紧密相关。

像铜或银这样的导电性极好的金属损耗最低，但最终频率性能受到趋肤深度效应的制约。为在给定的频率上损耗最低，最佳的金属厚度是趋肤深度的3～5倍。这个经验公式可以用来估计在一个集成无源电感工艺中达到低损耗的金属层厚度。