这些电容器采用湿法制造工艺用贵金属电极(NME)技术制造而成，并采用了各种符合RoHS标准的终端涂层(termination finish)，其中包括：具有100%镀锡板、用于回流焊的镍屏障(代号为“X”)，用于对磁干扰敏感的应用的无磁铜屏障(代号为“C”)，以及用于导电环氧树脂组件的银钯(代号为“E”)。VJ HIFREQ HT系列也可具有含铅(最少4%)终端涂层(代号为“L”)。这些器件设备不含卤素和符合Vishay Green标准(“L”终端除外)。

为了提高设计灵活性，MLCC的小型0402、0603、0805和1111外壳尺寸允许放置在靠近诸如SiC和GaN开关等高耗散元件的地方。

通过使用多种衬底和导电材料，集成无源工艺能制造很紧凑的、具有高品质因数和高固有谐振频率的电感元件，使得它们在尺寸、成本和性能等方面能与表面贴装技术（SMT）使用的分立元件相抗衡。

这些电感的性能也超过了用单片集成电路工艺制作的片上电感，因为半导体硅衬底的损耗限制了片上电感的性能。

用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列，其工作温度范围可以达到+200 C。对于通信基站和国防通信系统，Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四种紧凑型尺寸，都具有超高Q和低ESR。

对于暴露于+175°C或更高温度的高功率通信发射器和高频逆变器而言，设计师以前都不得不依赖仅限+150°C的MLCC。

器件工作温度范围达到了-55°C至+200°C，能够在此类应用场合提供长期的高可靠性。