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PA链支持FDD和TD-LTE频段带内上行载波聚合及带间下行载波聚合

发布时间:2024/2/4 23:34:16 访问次数:51

在超高速4G LTE连接性方面实现此重大成就。Qorvo引领行业向具有更高性能和更高集成度的RFFE解决方案转变---我们新一代RF Fusion解决方案融合了所有主要的RF功能,以确保在低、中、高及超高蜂窝频段上均能实现卓越的性能。

一款千兆手机提供四款Qorvo高度集成、高性能RF前端(RFFE)解决方案来支持其实现突破性性能。这款千兆手机展现了性能上的重大进步,下载速度高达1Gbps,可适用于360°全景VR、4K视频以及即时云存储等全新的移动用户体验。

SDH866XQ系列芯片合封了具有专利技术的功率EDMOS,并采用了具有专利技术的高压启动控制芯片,因此省略了传统芯片的启动电阻,使得芯片待机功耗低至40mW,具有快速启动,轻载高效等优点。

芯片还内置了准谐振(QR)模式,即系统工作于DCM时原边高压MOSFET在振荡波形谷底开通,可以降低MOSFET开通损耗和芯片温升,提高DCM的平均效率(0.5%左右),一致性和可靠性。

对被测值不知的被测量,应先用最高量限进行测量,再根据指针的指示位置将开关拨到合适的量限上进行测量。

中频段QM78013集成了多模式多频段PA、模式转换装置、LowDrift频段25双工器、基于LowDrift?的多工器(能够实现频段1、3和4的多下行链路载波聚合),以及天线开关和耦合器。

QM78013中的PA链支持FDD和TD-LTE频段的带内上行载波聚合以及带间下行载波聚合,同时还能工作于高级功率跟踪和包络跟踪模式。

QM48858移动Wi-Fi iFEM集成了5GHz PA、LNA、开关、双信器、耦合器以及Qorvo高级2.4GHz BAW 5 Wi-Fi共存滤波器。


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芯片还内置了准谐振(QR)模式,即系统工作于DCM时原边高压MOSFET在振荡波形谷底开通,可以降低MOSFET开通损耗和芯片温升,提高DCM的平均效率(0.5%左右),一致性和可靠性。

对被测值不知的被测量,应先用最高量限进行测量,再根据指针的指示位置将开关拨到合适的量限上进行测量。

中频段QM78013集成了多模式多频段PA、模式转换装置、LowDrift频段25双工器、基于LowDrift?的多工器(能够实现频段1、3和4的多下行链路载波聚合),以及天线开关和耦合器。

QM78013中的PA链支持FDD和TD-LTE频段的带内上行载波聚合以及带间下行载波聚合,同时还能工作于高级功率跟踪和包络跟踪模式。

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