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规格书给出它在25℃环境温度下的最大功率耗散能力是0.45W

发布时间:2024/1/18 20:46:40 访问次数:43


60V的输入经过RT9072生成 3.3V 输出,假如负载电流为20mA,将会有1.134W的功耗落在RT9072 上,这已经远远超出了RT9072的承载能力,因为它的封装是SOT-23-5,规格书给出它在25℃环境温度下的最大功率耗散能力是0.45W,所以可以非常容易地得出判断:RT9072不能满足这一应用的需求。

RT9072所用封装从其内部的发热点到周围环境之间的总热阻为218.1℃/W,这表示RT9072要向周围环境传递1W的功耗时,从发热点到周围环境之间的温度差会达到218.1℃,假如环境温度25℃,而RT9072要以1W的功耗向外传递热量,它的内部结温就会高达218.1℃+25℃=243.1℃,这已经远远超过了RT9072的温度承受能力。

高电平有效或低电平有效的Shutdown即关机控制端,这两个选项分别对应型号RT9072B和RT9072A。


RT9072A/B推向市场的时间已经不短,或许是由于客户选用情况的不同,目前使用高电平使能 Shutdown状态的RT9072B仍处于Active状态,使用低电平使能Shutdown状态的 RT9072A已被调整至Lifebuy状态即该产品不会再被生产,现有产品销售完毕以后就不会再有了,新的设计请不要再选用,这个提示已被加入该产品的规格书。

如果你的新设计仍然需要使用RT9072A的高电平使能Shutdown功能,你可以选择RT9070B来完成,它的输入电压范围为4.5V~70V,其他特性与RT9072A几乎完全相同,对大多数应用来说应该都没有问题。

在单个硅光子集成电路(PIC)中集成有四个高性能25Gbps CWDM波长,可基于双工单模光纤实现100Gbps通信。

MACOM的L-PIC平台提供面向特定数据中心应用的高度集成式硅光子解决方案,包括四个CW激光器、监测光电二极管、高带宽波导管、调制器和CWDM复用器。

L-PIC平台借助MACOM获得专利的自对准端面蚀刻技术(SAEFTTM)将激光器精确嵌入到硅芯片上,无需主动进行激光器对准,帮助客户大幅降低成本,从而实现主流部署。

HC32F460PETB


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RT9072所用封装从其内部的发热点到周围环境之间的总热阻为218.1℃/W,这表示RT9072要向周围环境传递1W的功耗时,从发热点到周围环境之间的温度差会达到218.1℃,假如环境温度25℃,而RT9072要以1W的功耗向外传递热量,它的内部结温就会高达218.1℃+25℃=243.1℃,这已经远远超过了RT9072的温度承受能力。

高电平有效或低电平有效的Shutdown即关机控制端,这两个选项分别对应型号RT9072B和RT9072A。


RT9072A/B推向市场的时间已经不短,或许是由于客户选用情况的不同,目前使用高电平使能 Shutdown状态的RT9072B仍处于Active状态,使用低电平使能Shutdown状态的 RT9072A已被调整至Lifebuy状态即该产品不会再被生产,现有产品销售完毕以后就不会再有了,新的设计请不要再选用,这个提示已被加入该产品的规格书。

如果你的新设计仍然需要使用RT9072A的高电平使能Shutdown功能,你可以选择RT9070B来完成,它的输入电压范围为4.5V~70V,其他特性与RT9072A几乎完全相同,对大多数应用来说应该都没有问题。

在单个硅光子集成电路(PIC)中集成有四个高性能25Gbps CWDM波长,可基于双工单模光纤实现100Gbps通信。

MACOM的L-PIC平台提供面向特定数据中心应用的高度集成式硅光子解决方案,包括四个CW激光器、监测光电二极管、高带宽波导管、调制器和CWDM复用器。

L-PIC平台借助MACOM获得专利的自对准端面蚀刻技术(SAEFTTM)将激光器精确嵌入到硅芯片上,无需主动进行激光器对准,帮助客户大幅降低成本,从而实现主流部署。

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