输入RF扼流圈设定基极-发射极电压的静态值；集电极处的RF扼流圈提供晶体管的直流电流。负载是一个交流耦合电阻器（RL），在基频处有一个高Q谐振电路。

通过缩短谐波分量，高Q谐振储能电路使输出电压在基频处呈正弦波。显示了接近理想A、B和C类放大器的晶体管电流和输出电压波形。

谐振并联LC网络在输出端提供了一些谐波滤波。然而，由于晶体管的间歇导通，在B类和C类级中仍可观察到一些谐波失真。A类级的输出电压和电流波形几乎未失真。

所有电子设备都有电源，但是不同的系统对电源的要求不同。为了发挥电子系统的最佳性能，需要选择最适合的电源管理方式。

为了提高电路的密度，芯片的特征尺寸始终朝着减小的趋势发展，从最初的几十微米发展到目前的0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米乃至90纳米。

传导角是晶体管导通的一个输入周期的分数，以角度或弧度表示。例如，在A类放大器中，晶体管始终处于导通状态，因此传导角为360度。在B类放大器中，晶体管仅在信号周期的一半时间导通，因此传导角为180度。

在输出端有一个带通或低通滤波器,可以充分抑制高次谐波分量,显示了一个单晶体管B类放大器。

为了计算电源提供的功率，我们求出从电源中汲取的电流的平均值,并将其乘以电源电压，半波整流信号的平均值为Ip/π。