AHB拓扑不需要第二个输出滤波器，因此整体解决方案成本更低、体积更小。

LMG3624集成式GaN FET具有集成“无损”电流检测功能,可通过降低功率损耗来帮助进一步提高效率。

在65WACF中，集成电流检测的损耗不到10mW，而传统电流检测方案的损耗约为170mW。任何需要电流模式控制的拓扑（包括ACF、AHB等）都将大大受益于这种大幅降低的损耗，并实现更高效的整体解决方案。

在大部分情况下，一旦功率水平达到70W以上，便需要功率因数校正(PFC)级。

在设计现代消费级USB Type-C移动充电器、PC电源和电视电源时，面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。

低功耗氮化镓(GaN)器件有助于在各种最流行的拓扑中解决这一问题，同时提供散热、尺寸和集成方面的优势。

在PFC级中，如果希望利用GaN的功能，则需要考虑图腾柱PFC拓扑。

在QR反激式拓扑、ZVS反激式拓扑和传统升压PFC拓扑中采用GaN变得越来越常见，因为只需用GaN FET替换单个开关FET，即可看到效率和开关频率能力的提升（主要得益于GaN较低的输入电容可以降低关断损耗）。

此外，LMG3624 GaN FET具有低静态电流，其待机模式还可以进一步降低静态电流。QR、ZVS和升压PFC拓扑也受益于LMG3624中集成的无损电流检测功能。