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所有拓扑中功能和优势其多功能性有助于满足这些应用要求

发布时间:2024/1/12 13:32:04 访问次数:81



LLC谐振转换器拓扑已经存在了几十年,在笔记本电脑适配器和电视电源等固定输出电压应用中很受欢迎,这些应用尚未普遍采用USB Type-C控制器来提供输出电压。与大多数半桥直流/直流拓扑相比,LLC拓扑还将实现更高的变压器效率。

随着对更小、更高效的交流/直流解决方案的需求不断增长,消费者更喜欢更便携的较小适配器。

更薄的PSU也为更纤薄的高端电视铺平了道路。LMG3624提供可集成到本文所述的所有拓扑中的功能和优势,其多功能性有助于满足这些应用的要求。

随着GaN等宽带隙技术的发展,交流/直流拓扑也出现了新的改进,旨在改善效率和功能。本文将深入探讨这些器件在此类应用的流行拓扑中的优势和兼容性,以及一些令人心动的新拓扑。


去除桥式整流器后,由于反向恢复损耗为零,GaN FET在这种拓扑结构中的价值得以增强。

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有体二极管,可产生高反向恢复电荷,而碳化硅(SiC)在反向恢复电荷方面的改进很小,因此MOSFET几乎无法在这种拓扑中使用。另一方面,LMG3624提供可调节的压摆率,有助于在系统中找到电磁干扰和效率的合理平衡点。

利用ACF和AHB拓扑更大限度提高效率和功率密度,一些新开发的半桥拓扑可以优化效率,同时提供可变输出电压能力。


有源钳位反激式(ACF)拓扑和非对称半桥(AHB)拓扑有助于更大限度提高直流/直流级效率和功率密度。

ACF和AHB拓扑不像准谐振(QR)反激式拓扑或零电压开关(ZVS)反激式拓扑那样使用有损缓冲器钳位,而是能够将泄漏能量回收到输出端,因此可以进一步提高效率。这两种拓扑还能够完全消除低侧场效应晶体管(FET)上的电压尖峰,从而在次级侧启用低压同步整流器FET。


KSZ8895RQXI-TR



LLC谐振转换器拓扑已经存在了几十年,在笔记本电脑适配器和电视电源等固定输出电压应用中很受欢迎,这些应用尚未普遍采用USB Type-C控制器来提供输出电压。与大多数半桥直流/直流拓扑相比,LLC拓扑还将实现更高的变压器效率。

随着对更小、更高效的交流/直流解决方案的需求不断增长,消费者更喜欢更便携的较小适配器。

更薄的PSU也为更纤薄的高端电视铺平了道路。LMG3624提供可集成到本文所述的所有拓扑中的功能和优势,其多功能性有助于满足这些应用的要求。

随着GaN等宽带隙技术的发展,交流/直流拓扑也出现了新的改进,旨在改善效率和功能。本文将深入探讨这些器件在此类应用的流行拓扑中的优势和兼容性,以及一些令人心动的新拓扑。


去除桥式整流器后,由于反向恢复损耗为零,GaN FET在这种拓扑结构中的价值得以增强。

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有体二极管,可产生高反向恢复电荷,而碳化硅(SiC)在反向恢复电荷方面的改进很小,因此MOSFET几乎无法在这种拓扑中使用。另一方面,LMG3624提供可调节的压摆率,有助于在系统中找到电磁干扰和效率的合理平衡点。

利用ACF和AHB拓扑更大限度提高效率和功率密度,一些新开发的半桥拓扑可以优化效率,同时提供可变输出电压能力。


有源钳位反激式(ACF)拓扑和非对称半桥(AHB)拓扑有助于更大限度提高直流/直流级效率和功率密度。

ACF和AHB拓扑不像准谐振(QR)反激式拓扑或零电压开关(ZVS)反激式拓扑那样使用有损缓冲器钳位,而是能够将泄漏能量回收到输出端,因此可以进一步提高效率。这两种拓扑还能够完全消除低侧场效应晶体管(FET)上的电压尖峰,从而在次级侧启用低压同步整流器FET。


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