256KB带闪存及丰富通信外设在严苛工业环境中实现出色性能
发布时间:2024/1/11 13:17:06 访问次数:58
XMC4200是一款基于Arm® Cortex®-M4内核的工业级微控制器,具有16位和32位Thumb2指令集,DSP/MAC指令,浮点单元,存储器保护单元以及嵌套矢量中断控制器。
内部集成了16KB引导ROM,拥有多达16KB高速程序存储器、24KB高速数据存储器和256KB带闪存以及丰富的通信外设,能够在严苛的工业环境中实现出色的性能。
CFD7系列具有集成快速体二极管的高压超级结MOSFET技术的产品,非常适用于高功率SMPS应用,如服务器/电信/EV充电站等。
此种方案受限于变压器设计及制作工艺,实测时所用变压器原边为265uH电感,5.6uH漏感,此类仅2.1%漏感变压器继续优化较困难。
主MOS关断时的原边振荡为变压器漏感、层间电容及主MOS 结电容的振荡。查看原理图可知,其设计上额外在MOS 的DS 间添加并联电容C410。
由振荡频率公式( LK为变压器漏感,Cp为等效电容, Cp=C410+MOS 结电容)可知:减小C410,即减小Cp可以提高振荡频率,在同样阻尼衰减的作用下,高频率的振荡能够在更快的时间内达到平稳,也就是可以抢在副边SR采样消隐时间内,把振荡幅值以及对副边的影响降到最低。

在更换同步整流控制IC后启机效率明显降低,首先从同步整流工作异常开始着手测量。
在同步整流驱动波形测量的同时用热成像仪测量同步整流MO管的温度,结果显示器件在常温下工作一分钟左右温度已经高达130℃,明显异常。
XMC4200是一款基于Arm® Cortex®-M4内核的工业级微控制器,具有16位和32位Thumb2指令集,DSP/MAC指令,浮点单元,存储器保护单元以及嵌套矢量中断控制器。
内部集成了16KB引导ROM,拥有多达16KB高速程序存储器、24KB高速数据存储器和256KB带闪存以及丰富的通信外设,能够在严苛的工业环境中实现出色的性能。
CFD7系列具有集成快速体二极管的高压超级结MOSFET技术的产品,非常适用于高功率SMPS应用,如服务器/电信/EV充电站等。
此种方案受限于变压器设计及制作工艺,实测时所用变压器原边为265uH电感,5.6uH漏感,此类仅2.1%漏感变压器继续优化较困难。
主MOS关断时的原边振荡为变压器漏感、层间电容及主MOS 结电容的振荡。查看原理图可知,其设计上额外在MOS 的DS 间添加并联电容C410。
由振荡频率公式( LK为变压器漏感,Cp为等效电容, Cp=C410+MOS 结电容)可知:减小C410,即减小Cp可以提高振荡频率,在同样阻尼衰减的作用下,高频率的振荡能够在更快的时间内达到平稳,也就是可以抢在副边SR采样消隐时间内,把振荡幅值以及对副边的影响降到最低。

在更换同步整流控制IC后启机效率明显降低,首先从同步整流工作异常开始着手测量。
在同步整流驱动波形测量的同时用热成像仪测量同步整流MO管的温度,结果显示器件在常温下工作一分钟左右温度已经高达130℃,明显异常。