超音速喷管收敛一扩张喷管,超音速喷管是一个先收敛后扩张形的管道。收敛段的出口现在已成为喉部,而出口则在喇叭形扩散段的末端。

当燃气进入喷管的收敛段时,燃气速度增加,静压相应降低。喉部的燃气速度相当于此点音速。当燃气离开喉部流人扩散段时,速度不断增加,直到出口为止。

第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个，是目前14nm的足足2.7倍!

10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于Intel的一半多，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过Intel 10nm。

换言之，仅晶体管集成度而言，Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上，甚至还要更好!

Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。

采用复杂的新型片上降噪电路，如黑电平箝位电路，使其能够在低照环境下获得高品质图像。

CMV50000的突出性能使得制造商能够用其来替代需要超高分辨率应用中的CCD图像传感器。相比CCD传感器, CMOS图像传感器更易集成到相机系统，帧率更高，功耗更低。

每个输出具有其自己的可个别设置分频器和输出驱动器。所有的输出均可实现同步，并采用单独的粗半周期数字延迟和细模拟时间延迟设定至精确的相位对齐校准。对于所需的总输出超过11个的应用，可以采用EZSync™或ParallelSync™同步协议将多个LTC6952连接起来。