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1U刀锋服务器和刀锋机箱系统所设计大幅减少占用空间及功耗

发布时间:2024/1/5 8:55:46 访问次数:65

DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIM专为网通,电信,高密集运算和存储应用所需的1U刀锋服务器所设计. 

SMART Modular新型 DuraMemory™DDR5 VLP ECC UDIM专为网通、电信、高密集运算和存储应用所需的1U刀锋服务器和刀锋机箱系统所设计,可大幅减少占用空间及功耗,满足次世代内存应用要求的高度、密度、功耗和性能规格。

随着新一代 DDR5 CPU的推出,SMART Modular希望提供多样的DDR5 VLP模块,满足客户在边缘运算、IIoT及其他类似应用对专用刀锋服务器的需求,让数据直接在本机进行处理。

通过这项技术,显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。

1β DRAM产品融合了专有的多重曝光光刻技术、领先的制程技术及先进材料能力,标志着内存创新的又一次飞跃。1β DRAM制程技术带来了前所未有的内存密度,为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。

232层NAND,为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度。得益于在尖端研发与制程技术方面的深厚根基,这两项业界首发预示着将继续在内存和存储创新领域领跑市场。

基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

1β节点DRAM,进一步巩固了市场领先地位。1β技术可将能效提高约15%,内存密度提升35%以上,单颗裸片容量高达16Gb。


http://yushuo.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司

DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIM专为网通,电信,高密集运算和存储应用所需的1U刀锋服务器所设计. 

SMART Modular新型 DuraMemory™DDR5 VLP ECC UDIM专为网通、电信、高密集运算和存储应用所需的1U刀锋服务器和刀锋机箱系统所设计,可大幅减少占用空间及功耗,满足次世代内存应用要求的高度、密度、功耗和性能规格。

随着新一代 DDR5 CPU的推出,SMART Modular希望提供多样的DDR5 VLP模块,满足客户在边缘运算、IIoT及其他类似应用对专用刀锋服务器的需求,让数据直接在本机进行处理。

通过这项技术,显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。

1β DRAM产品融合了专有的多重曝光光刻技术、领先的制程技术及先进材料能力,标志着内存创新的又一次飞跃。1β DRAM制程技术带来了前所未有的内存密度,为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。

232层NAND,为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度。得益于在尖端研发与制程技术方面的深厚根基,这两项业界首发预示着将继续在内存和存储创新领域领跑市场。

基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

1β节点DRAM,进一步巩固了市场领先地位。1β技术可将能效提高约15%,内存密度提升35%以上,单颗裸片容量高达16Gb。


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