16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM内存模块，为刀锋服务器专用VLP模组产品添增生力军。

与DDR4相比，DDR5模块改善通道和电源管理架构，提供更低操作电压及更快的速度，并扩充至更高的密度。

低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化和沉浸式体验。

SMART Modular的VLP ECC UDIMM（高仅18.75mm）可以直立放置于1U刀锋式服务器中并节省电路板空间，其高密度能力可在备有12条 DIMM插槽的1U运算和存储刀锋系统中达到384GB容量。以速度来说，目前支持到DDR5-4800，未来DDR5-5600也可望加入支援行列 。

此外，VLP ECC UDIMM内存模组也提供工业级宽温（-40° 至 + 85°C），让边缘运算和其他应用使用的1U服务器在极端条件下也能顺利运作 ，同时也提供加强功能，如抗硫化电阻器、底部填充、表面被覆/涂布和SMART专利式固定夹片等 ，确保服务器在各种操作环境下皆能正常运作。

存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，采用3D缩放（3D scaling）技术,减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。

我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。

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