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转向3纳米可降低芯片和计算系统成本和功耗保持讯号完整性和性能

发布时间:2024/1/3 19:17:15 访问次数:52


5nm制程,3nm制程的逻辑密度将增加约70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。

Marvell将SerDes和互连技术整合至其旗舰硅解决方案中,包括Teralynx开关,PAM4和相干DSP,Alaska以太网物理层(PHY)设备、OCTEON处理器、Bravera储存控制器、Brightlane汽车以太网芯片组和定制化ASIC等。

转向3纳米可降低芯片和计算系统的成本和功耗,同时保持讯号完整性和性能。

SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量, 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可满足客户更快读写访问速度需求。


同时,全系产品会继续提升耐写性指标,满足客户高工规的应用。 

FM24/FM25系列串行EEPROM存储器,低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM,以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。

产品开发团队针对流片工艺平台的特性,以及对存储器产品工作原理的深刻理解,对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计,大幅度提升了产品的性能及可靠性,为客户提供了更多的产品选择,可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。

产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求,支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。

FM24N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四种容量的I2C串行EEPROM.

KSZ8895RQXI-TR


5nm制程,3nm制程的逻辑密度将增加约70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。

Marvell将SerDes和互连技术整合至其旗舰硅解决方案中,包括Teralynx开关,PAM4和相干DSP,Alaska以太网物理层(PHY)设备、OCTEON处理器、Bravera储存控制器、Brightlane汽车以太网芯片组和定制化ASIC等。

转向3纳米可降低芯片和计算系统的成本和功耗,同时保持讯号完整性和性能。

SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量, 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可满足客户更快读写访问速度需求。


同时,全系产品会继续提升耐写性指标,满足客户高工规的应用。 

FM24/FM25系列串行EEPROM存储器,低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM,以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。

产品开发团队针对流片工艺平台的特性,以及对存储器产品工作原理的深刻理解,对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计,大幅度提升了产品的性能及可靠性,为客户提供了更多的产品选择,可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。

产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求,支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。

FM24N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四种容量的I2C串行EEPROM.

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