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产品使用芯片级封装(采用WLCSP)取代具有多种功能集成分立电路

发布时间:2024/1/1 15:39:37 访问次数:95


在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好,最实用的解决方案,对我们来说最为重要。

目前,利用氮化镓材料极具吸引力的诸多性能优势,电源适配器市场在不断创新迭代,要做的就是确保客户能够受益于氮化镓的这些优势——不仅在技术上受益,而且能获得更好、更全面的投资回报(ROI)。

一颗SiP,既满足适配器物理设计要求,同时又适用于整个适配器系列的不同型号,这款新发布的100瓦参考设计方案,有力地证明了我们的技术在低价位市场同样具有竞争力,而这只是起步,未来可期。

与以前的解决方案相比,负载开关集成电路具有以下主要优势:

省电可显著延长电池寿命。

较低的功耗(较低的RON、IQ和ISD)提供高效率的运行。

这些产品使用芯片级封装(采用WLCSP)来取代具有多种功能集成的分立电路,如功率MOSFET、反向二极管、放电MOSFET、无源元件等。

芯片级尺寸的外形也显著降低了PCB空间要求。

M3S EliteSiC器件非常适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用。1200V EliteSiC M3S产品组合包括 MOSFET和功率集成模块。


产品系列旨在帮助电力电子工程师优化能源效率,降低各种应用的系统成本,包括用于800V电动汽车 (EV)的车载充电器 (OBC)、直流快充 (DCFC)、太阳能逆变器和储能电站系统(BESS)。

系统级封装是简单的常闭型解决方案,无需保护电路、驱动器或外部控制器。除此之外,同一颗SiP还适用于65瓦和100瓦的电源适配器。


M24C04-DRDW3TP/K


在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好,最实用的解决方案,对我们来说最为重要。

目前,利用氮化镓材料极具吸引力的诸多性能优势,电源适配器市场在不断创新迭代,要做的就是确保客户能够受益于氮化镓的这些优势——不仅在技术上受益,而且能获得更好、更全面的投资回报(ROI)。

一颗SiP,既满足适配器物理设计要求,同时又适用于整个适配器系列的不同型号,这款新发布的100瓦参考设计方案,有力地证明了我们的技术在低价位市场同样具有竞争力,而这只是起步,未来可期。

与以前的解决方案相比,负载开关集成电路具有以下主要优势:

省电可显著延长电池寿命。

较低的功耗(较低的RON、IQ和ISD)提供高效率的运行。

这些产品使用芯片级封装(采用WLCSP)来取代具有多种功能集成的分立电路,如功率MOSFET、反向二极管、放电MOSFET、无源元件等。

芯片级尺寸的外形也显著降低了PCB空间要求。

M3S EliteSiC器件非常适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用。1200V EliteSiC M3S产品组合包括 MOSFET和功率集成模块。


产品系列旨在帮助电力电子工程师优化能源效率,降低各种应用的系统成本,包括用于800V电动汽车 (EV)的车载充电器 (OBC)、直流快充 (DCFC)、太阳能逆变器和储能电站系统(BESS)。

系统级封装是简单的常闭型解决方案,无需保护电路、驱动器或外部控制器。除此之外,同一颗SiP还适用于65瓦和100瓦的电源适配器。


M24C04-DRDW3TP/K

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