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全新的效能功率及成本效益众多装置功能以满足不同产品的需求

发布时间:2023/12/31 23:50:25 访问次数:43


将LPC1700和LPC2000微控制器(MCU)产品的持续供应计划额外延长,以顺应市场对这些产品的持续需求和广泛应用。

ARM®技术的业界首款真正集成闪存(Flash)的MCU——LPC2106,为当今的MCU市场奠定了基础。

LPC2106将ARM7TDMI-S处理器和片上闪存、SRAM以及通用外设集成在一个低引脚数封装中,随后不久,LPC2138和LPC2148几款MCU也相继问世,这为后续数百款突破性MCU器件的推出做好了准备。

三重独立显示功能的第6代Core i7、i5、i3或Celeron处理器,面向IoT和智能系统。

22纳米、14纳米及即将上线的10纳米FinFET制程,开发出各种全功能设计平台,提供客户前所未有的效能与电源效益组合,此组合超越先前推出的先进电晶体。


10纳米科技除了改进电晶体微缩,还带来全新的效能、功率、以及成本效益,同时提供众多装置功能以满足不同产品的需求。

用于诊断和自动化的云端管理系统需要仅仅有条的控制大量传感器。而工厂、楼宇和零售业的中央服务器必须实现大规模的程序管理和自动化,以减少维护费用。

电力变压器低压绕组是接照明用户.则低压绕组的相电压通常为220V,由于3个低压绕组的二端连接在一个公共点上并接出导线(称为中性线),因此每根相线(即每个绕组的引出线)与中性线之间的电压(称为相电压)为220V。

两根相线之问有两个绕组,故两根相线之间的电压(称为线电压)应大于相电压,线电压为220×√3≈380V。

线电压虽然是两个绕组上的相电压叠加得到的,但由于两个绕组上的电压相位不同,故线电压与相电压的关系不是乘以2,而是乘以√3。

DSPIC33EP512MU810T-I/BG


将LPC1700和LPC2000微控制器(MCU)产品的持续供应计划额外延长,以顺应市场对这些产品的持续需求和广泛应用。

ARM®技术的业界首款真正集成闪存(Flash)的MCU——LPC2106,为当今的MCU市场奠定了基础。

LPC2106将ARM7TDMI-S处理器和片上闪存、SRAM以及通用外设集成在一个低引脚数封装中,随后不久,LPC2138和LPC2148几款MCU也相继问世,这为后续数百款突破性MCU器件的推出做好了准备。

三重独立显示功能的第6代Core i7、i5、i3或Celeron处理器,面向IoT和智能系统。

22纳米、14纳米及即将上线的10纳米FinFET制程,开发出各种全功能设计平台,提供客户前所未有的效能与电源效益组合,此组合超越先前推出的先进电晶体。


10纳米科技除了改进电晶体微缩,还带来全新的效能、功率、以及成本效益,同时提供众多装置功能以满足不同产品的需求。

用于诊断和自动化的云端管理系统需要仅仅有条的控制大量传感器。而工厂、楼宇和零售业的中央服务器必须实现大规模的程序管理和自动化,以减少维护费用。

电力变压器低压绕组是接照明用户.则低压绕组的相电压通常为220V,由于3个低压绕组的二端连接在一个公共点上并接出导线(称为中性线),因此每根相线(即每个绕组的引出线)与中性线之间的电压(称为相电压)为220V。

两根相线之问有两个绕组,故两根相线之间的电压(称为线电压)应大于相电压,线电压为220×√3≈380V。

线电压虽然是两个绕组上的相电压叠加得到的,但由于两个绕组上的电压相位不同,故线电压与相电压的关系不是乘以2,而是乘以√3。

DSPIC33EP512MU810T-I/BG

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