芯片或模块需工作电源用一个EN信号控制多个电源芯片使用需求
发布时间:2023/12/31 22:05:14 访问次数:102
反向截至电压VRWM:TVS不导通的最高电压;
二极管导通通过一定电流时两端的电压,随电流增大而增大;
VRWM电压下的反向漏电流;
TVS管允许通过的10/1000μs或8/20μs波的最大峰值电流。超过这个电流可能造成永久性损坏。由于功率限制,击穿电压高的管子允许通过的峰值电流越小;
TVS管的结电容比ESD器件大很多,单向的比双向的大,结电容会影响TVS管的响应时间,用于通讯总线时会限制总线带宽。
电路设计中,芯片或模块往往需要多种工作电源,同时对这些电源的上电顺序也提出了相应的要求。
若没有满足这些上电时序的要求可能导致总线冲突、器件闩锁等故障。例如某系统上的工作电源有VCC_Core、VCC_DDR、VCC_DIO三种电源,通过分立的电源芯片控制。此时可以通过调整电源芯片EN引脚的RC回路来控制上电时序,即R1和C1。
RC时间常数大的也必定产生动作延迟,即后开始工作,改变不同的参数得到不同的延时时间,从而控制分立电源芯片的上电时序。此法还可以满足用一个EN信号控制多个电源芯片的使用需求。
分流电阻和运算放大器,这样它们对电路的性能影响最小。
尽量将电阻两端的压降保持在低水平,使负载的负极在低侧感应时尽可能靠近接地,或者在高侧感应时尽可能靠近电源。
TVS管通过规定测试电流IT(通常为1mA)时的电压,表示TVS管导通的标志电压.
反向截至电压VRWM:TVS不导通的最高电压;
二极管导通通过一定电流时两端的电压,随电流增大而增大;
VRWM电压下的反向漏电流;
TVS管允许通过的10/1000μs或8/20μs波的最大峰值电流。超过这个电流可能造成永久性损坏。由于功率限制,击穿电压高的管子允许通过的峰值电流越小;
TVS管的结电容比ESD器件大很多,单向的比双向的大,结电容会影响TVS管的响应时间,用于通讯总线时会限制总线带宽。
电路设计中,芯片或模块往往需要多种工作电源,同时对这些电源的上电顺序也提出了相应的要求。
若没有满足这些上电时序的要求可能导致总线冲突、器件闩锁等故障。例如某系统上的工作电源有VCC_Core、VCC_DDR、VCC_DIO三种电源,通过分立的电源芯片控制。此时可以通过调整电源芯片EN引脚的RC回路来控制上电时序,即R1和C1。
RC时间常数大的也必定产生动作延迟,即后开始工作,改变不同的参数得到不同的延时时间,从而控制分立电源芯片的上电时序。此法还可以满足用一个EN信号控制多个电源芯片的使用需求。
分流电阻和运算放大器,这样它们对电路的性能影响最小。
尽量将电阻两端的压降保持在低水平,使负载的负极在低侧感应时尽可能靠近接地,或者在高侧感应时尽可能靠近电源。
TVS管通过规定测试电流IT(通常为1mA)时的电压,表示TVS管导通的标志电压.