从4G LTE向5G的转变需要更高的调制解调速度（从1Gbps到10Gbps），CPU速度提高50％，GPU速度提高两倍，双晶体管密度提高3倍，AI引擎性能提高至3 TOPS每秒，并且没有太多的功耗增加。

在这个细分市场上，正在迎来从28HPC+向16FFC的转变。

高密度和功率要求以满足数据密集型AI应用的低延迟是10纳米工艺成功的关键。

N7 HPC通道速度超过N7 移动（7.5Tvs6T），速度提高13％，并通过良率和质量测试。部分原因是台积电成功利用了N10 D0的杠杆学习，并将其作为Fab15的目标。

实际的晶振交流等效电路，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe，Cce，Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。

Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害。

电路中的分压电阻网络设置不当，在输入电压很低的时候就达到了EN的阈值电压，导致过早使能电源芯片输出。这就是设计过程中只考虑了将电源芯片的EN引脚电压设置在耐压值以下，而未考虑将EN脚的分压网络设定在“合适”的范围的例子。

采用双向转换器替代大容量储能电容器。此方案的缺点是输出能量被转换三次才送至输出端。

还有人提出了在功率因数和所需输出电容之间平衡的设计。然而，这个方案是以牺牲输入电流谐波和功率因数性能来达到目的。