由于结构的不同，SiC相对于Si在晶圆尺寸方面具有天然的优势，其元器件尺寸可减小为硅产品的1/2。

此外，由于SiC可以曾受高频特性，无缘器件尺寸可减小为硅产品的1/10。另外，基于耐高温特性，SiC可以采用风冷形式，大幅度降低冷却系统体积。总体而言，在高温、高频、高压、热导率、衰减电场特性方面，SiC相对于Si产品实现了全方面超越，这也是行业对其热情不减的原因。

目前，在高压方面，SiC功率器件已经可达1700V，3300V-6500V样品也已经具备。未来，R在SiC和GaN方面都将持续跟进，为用户提供全方位解决方案。

NCL30386和NCL30388都无需许多外部元件来完成设计，缩短产品上市时间、降低物料单 (BoM)成本，并减少实现完整照明方案所需的空间。

NCL30386还提供出色的调光功能，包括线性或二次调光曲线选项。宽模拟调光范围由两个专用模拟/PWM控制引脚控制，能够实现具有0.5%最小调光比的精确调光 ，并且无可闻噪声。

以太网供电(PoE)受电设备(PD)系列产品，为各种物联网(IoT)应用提供一流的集成度和效率。Silicon Labs的Si3406x和Si3404系列产品在单个PD芯片上包含了所有必要的高压分立元件。

新的PD IC支持IEEE 802.3 PoE+受电能力、效率超过90%的灵活的电源转换选项、强大的睡眠/唤醒/LED支持模式以及出色的抗电磁干扰能力。这些功能可帮助开发人员在高功率、高效率PoE PD应用中降低系统成本。

新的应答器线圈是对现有125kHz频率设计的补充，适用于无钥匙进入和启动系统 (PEPS) 及其它基于更低频率的门禁系统。

DSPIC33EP512MU810-E/PF