为了发挥批量生产的优势,校准和调整必须在晶圆级进行,换句话说,要在划片和封装之前进行。

在某些情况下,同一片晶圆上的所有的传感器可能会同时暴露于相同的严格定义的校准条件下。例如智能温度传感器的校准使用一个温度稳定的晶片卡盘。

这种并行方法的优点是创造校准条件的相关时间和费用成本被许多传感器分摊了。另一方面,这种方法一个主要的缺点是由划片和封装产生的额外的误差没有考虑在内。

如对双极性器件，导敢电流增益和PN结反向漏电电流变化，击穿电压蠕变等。

在闩锁的通路中，电压下降并有大电流通过，存在晶闸管效应的通路在EBIC像中呈现亮区，根据电路相应版图便可确定发生闩锁的具体部位。改变入射电子束能量或改变P阱与衬底间的注入电流，便可判断电路内部各闩锁结构的触发灵敏度。

对器件施加电源电压10V，在被测端子上施加电压或电流信号（输入端接入适当逻辑电平，输出端开路），用于模拟正常工作状态下输入/输出端受电干扰信号时引起的触发，根据这时电源电流的变化，便可判断闩锁发生时的电信号电平。

抑制闩锁效应的主要方法是切断触发通路和降低其灵敏度，不使寄生晶体管工作或降低寄生晶体管电流放大系数。

氧化层中存在上述4种电荷，当这些电荷位置或密度变化时，调制了硅表面势，因此，凡是与表面势有关的各种电参数均受到影响。

对MOS器件引起阈值电压及跨导漂移，甚至源一漏击穿；对电荷耦合器件则引起转移效率降低等。在这4种电荷中，以可动离子电荷最不稳定，对器件可靠性的影响最大。

可以是正电荷，也可以是负电荷，这取决于氧化层陷阱中俘获的是空穴还是电子， 而这些被俘获的载流子来自X射线、7射线或电子束在氧化层中引起的辐射电离，以及沟 道内或衬底的热载流子的注入。

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